論文の概要: Charge noise and overdrive errors in reflectometry-based charge, spin
and Majorana qubit readout
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2006.12391v1
- Date: Mon, 22 Jun 2020 16:19:03 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-05-13 05:00:44.983601
- Title: Charge noise and overdrive errors in reflectometry-based charge, spin
and Majorana qubit readout
- Title(参考訳): 反射法に基づく電荷,スピンおよびマヨラナ量子ビット読み出しにおける電荷ノイズとオーバードライブ誤差
- Authors: Vahid Derakhshan Maman, M. F. Gonzalez-Zalba, Andr\'as P\'alyi
- Abstract要約: 電荷量子ビット、一重項スピン量子ビット、マヨラナ量子ビットについて論じる。
我々のモデルでは、低速な電荷雑音による読み出し誤差と過度な運転による過度なプローブがエラーを引き起こしている場合の読み出し誤差を考慮に入れている。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Solid-state qubits incorporating quantum dots can be read out by gate
reflectometry. Here, we theoretically describe physical mechanisms that render
such reflectometry-based readout schemes imperfect. We discuss charge qubits,
singlet-triplet spin qubits, and Majorana qubits. In our model, we account for
readout errors due to slow charge noise, and due to overdriving, when a too
strong probe is causing errors. A key result is that for charge and spin
qubits, the readout fidelity saturates at large probe strengths, whereas for
Majorana qubits, there is an optimal probe strength which provides a maximized
readout fidelity. We also point out the existence of severe readout errors
appearing in a resonance-like fashion as the pulse strength is increased, and
show that these errors are related to probe-induced multi-photon transitions.
Besides providing practical guidelines toward optimized readout, our study
might also inspire ways to use gate reflectometry for device characterization.
- Abstract(参考訳): 量子ドットを含む固体量子ビットはゲート反射法によって読み出すことができる。
本稿では,そのような反射法に基づく読み出しスキームを不完全にする物理機構を理論的に記述する。
電荷量子ビット、一重項スピン量子ビット、マヨラナ量子ビットについて述べる。
我々のモデルでは、低速な電荷雑音による読み出し誤差と過度の運転による過度なプローブがエラーを引き起こしている場合の読み出し誤差を考慮に入れている。
鍵となる結果として、電荷とスピン量子ビットの場合、読み出しフィリティは大きなプローブ強度で飽和するが、マヨラナ量子ビットの場合、最大値の読み出しフィリティを提供する最適なプローブ強度がある。
また, パルス強度が増大するにつれて, 共鳴のような方法で発生する重度の読み出し誤差の存在を指摘し, これらの誤差がプローブ誘起多光子遷移と関連していることを示す。
本研究は,最適化読解のための実用的なガイドラインを提供するとともに,ゲート反射計をデバイス特性評価に用いる方法も提案する。
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