論文の概要: Nanoscale axial position and orientation measurement of hexagonal boron
nitride quantum emitters using a tunable nanophotonic environment
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2007.07811v2
- Date: Tue, 23 Feb 2021 18:40:01 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-05-09 09:14:58.499018
- Title: Nanoscale axial position and orientation measurement of hexagonal boron
nitride quantum emitters using a tunable nanophotonic environment
- Title（参考訳）: 波長可変ナノフォトニック環境を用いた六方晶窒化ホウ素量子エミッタのナノスケール軸位置と配向測定
- Authors: Pankaj K. Jha, Hamidreza Akbari, Yonghwi Kim, Souvik Biswas, Harry A.
Atwater
- Abstract要約: 六方晶窒化ホウ素(hBN)の発色中心は単光子エミッタ(SPE)の候補として期待されている
単層および少数層hBNとは対照的に,多層フレークの色中心は発光特性に優れていた。
本手法は,量子フォトニクスシステムに統合される前に,hBNにおけるSPEを体系的に特徴付けるための実用的な手法として機能する。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Color centers in hexagonal boron nitride (hBN) have emerged as promising
candidates for single-photon emitters (SPEs) due to their bright emission
characteristics at room temperature. In contrast to mono- and few-layered hBN,
color centers in multi-layered flakes show superior emission characteristics
such as higher saturation counts and spectral stability. Here, we report a
method for determining both the axial position and three-dimensional dipole
orientation of SPEs in thick hBN flakes by tuning the photonic local density of
states using vanadium dioxide (VO2), a phase change material. Emitters under
study exhibit a strong surface-normal dipole orientation, providing some
insight on the atomic structure of hBN SPEs, deeply embedded in thick crystals.
We have optimized a hot pickup technique to reproducibly transfer flakes of hBN
from VO2 onto SiO2/Si substrate and relocated the same emitters. Our approach
serves as a practical method to systematically characterize SPEs in hBN prior
to integration in quantum photonics systems.
- Abstract（参考訳）: 六方晶窒化ホウ素(hBN)の発色中心は室温での発光特性から単光子エミッタ(SPE)の候補として期待されている。
単層および少数層hBNとは対照的に、多層フレークの色中心は、飽和数やスペクトル安定性などの優れた発光特性を示す。
本稿では, 相変化材料である二酸化バナジウム(vo2)を用いて, 状態の光子局所密度を調整し, 厚いhbnフレーク中のspeの軸位置と3次元双極子配向を判定する方法を提案する。
研究中のエミッタは強い表面正規双極子配向を示し、厚い結晶に深く埋め込まれたhBN SPEの原子構造に関する洞察を与える。
我々は、hBNのフレークをVO2からSiO2/Si基板に再現的に転写し、同じエミッタを移動させるホットピックアップ手法を最適化した。
本手法は,量子フォトニクスシステムに統合される前に,hBNにおけるSPEを体系的に特徴付けるための実用的な手法として機能する。
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