論文の概要: Cryogenic microwave loss in epitaxial Al/GaAs/Al trilayers for
superconducting circuits
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2009.10101v2
- Date: Mon, 30 Aug 2021 21:04:36 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-05-01 09:02:11.451638
- Title: Cryogenic microwave loss in epitaxial Al/GaAs/Al trilayers for
superconducting circuits
- Title（参考訳）: 超伝導回路用エピタキシャルAl/GaAs/Al三層膜の低温マイクロ波損失
- Authors: C.R.H. McRae, A. McFadden, R. Zhao, H. Wang, J.L. Long, T. Zhao, S.
Park, M. Bal, C.J. Palmstr{\o}m, D.P. Pappas
- Abstract要約: エピタキシャル成長した超伝導体/誘電体/超伝導三層膜は、高性能な超伝導量子デバイスを形成する可能性がある。
基板除去したAl/GaAs/Al三層膜の電力非依存損失と2レベル損失を測定した。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Epitaxially-grown superconductor/dielectric/superconductor trilayers have the
potential to form high-performance superconducting quantum devices and may even
allow scalable superconducting quantum computing with low-surface-area qubits
such as the merged-element transmon. In this work, we measure the
power-independent loss and two-level-state (TLS) loss of epitaxial,
wafer-bonded, and substrate-removed Al/GaAs/Al trilayers by measuring lumped
element superconducting microwave resonators at millikelvin temperatures and
down to single photon powers. The power-independent loss of the device is $(4.8
\pm 0.1) \times 10^{-5}$ and resonator-induced intrinsic TLS loss is $(6.4 \pm
0.2) \times 10^{-5}$. Dielectric loss extraction is used to determine a lower
bound of the intrinsic TLS loss of the trilayer of $7.2 \times 10^{-5}$. The
unusually high power-independent loss is attributed to GaAs's intrinsic
piezoelectricity.
- Abstract（参考訳）: エピタキシャル成長した超伝導体/誘電体/超伝導三層膜は、高性能な超伝導量子デバイスを形成する可能性があり、マージ素子トランスモンのような低表面量子ビットを用いたスケーラブルな超伝導量子コンピューティングが可能である。
本研究では,ミリケルビン温度以下で超伝導マイクロ波共振器の測定により,エピタキシャル,ウェハ結合,基板除去Al/GaAs/Al三層膜の電力非依存損失と2レベル損失を測定した。
電源独立損失は$(4.8 \pm 0.1) \times 10^{-5}$であり、共振器による内在的tls損失は$(6.4 \pm 0.2) \times 10^{-5}$である。
誘電損失抽出は、固有のTLS損失の低い7.2 \times 10^{-5}$の3層の境界を決定するために用いられる。
異常に高い電力非依存の損失は、GaAsの固有の圧電性に起因する。
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