論文の概要: Heat generation due to the Anderson catastrophe in mesoscopic devices
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2011.05726v1
- Date: Wed, 11 Nov 2020 12:07:15 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-04-24 11:52:09.791642
- Title: Heat generation due to the Anderson catastrophe in mesoscopic devices
- Title（参考訳）: メソスコピックデバイスにおけるアンダーソン大災害による熱発生
- Authors: A. V. Lebedev and V. M. Vinokur
- Abstract要約: アンダーソンの大惨事(AOC)の定理は、多体フェルミオン系の基底状態が散乱ポテンシャルによって摂動されることを証明している。
我々は、相補的金属酸化物半導体(CMOS)トランジスタにおける熱生成を説明するためにAOCを採用する。
トランジスタ内で放出される熱は、印加電圧下での電子伝達に伴う散逸と、高伝導状態と低伝導状態の切り替えに伴う電子の散乱行列の変化による純粋量子力学的AOC部分との2つの異なる成分からなる。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Anderson's orthogonality catastrophe (AOC) theorem establishes that the
ground state of the many-body fermion system is asymptotically orthogonal to
the ground state of the same system perturbed by a scattering potential, so
that the overlap between the original and new ground states decays to zero with
the system size. We adopt the AOC for a description of heat production in a
complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) transistor. We find that the
heat released in the transistor comprises two distinct components, contribution
from the dissipation accompanying electron transmission under the applied
voltage and purely quantum-mechanical AOC part due to the change in scattering
matrix for electrons upon switching between high and low conductance regimes.
We calculate the AOC-induced heat production, which we call switching heat.
- Abstract（参考訳）: anderson's orthogonality catastrophe (aoc) の定理は、多体フェルミオン系の基底状態が散乱ポテンシャルによって摂動される同じ系の基底状態と漸近的に直交し、元の基底状態と新しい基底状態の重なり合いが系の大きさとゼロに崩壊することを保証する。
我々は、相補的金属酸化物半導体(CMOS)トランジスタにおける熱生成を説明するためにAOCを採用する。
トランジスタ内で放出される熱は、印加電圧下での電子伝達に伴う散逸と、高伝導状態と低伝導状態の切り替えに伴う電子の散乱行列の変化による純粋量子力学的AOC部分との2つの異なる成分からなる。
我々はAOCによる熱発生を計算し、それをスイッチング熱と呼ぶ。
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