論文の概要: Roadmap for gallium arsenide spin qubits
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2011.13907v1
- Date: Fri, 27 Nov 2020 18:48:20 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-04-22 20:29:39.146333
- Title: Roadmap for gallium arsenide spin qubits
- Title(参考訳): ガリウムヒ素スピン量子ビットのロードマップ
- Authors: Ferdinand Kuemmeth and Hendrik Bluhm
- Abstract要約: ガリウムヒ素(GaAs)のゲート定義量子ドットは、スピン量子ビット装置のパイオニアとして広く使われている。
GaAsスピン量子ビットは多くの研究室で容易に生成され、現在は様々な用途で研究されている。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 31.29387328451118
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Gate-defined quantum dots in gallium arsenide (GaAs) have been used
extensively for pioneering spin qubit devices due to the relative simplicity of
fabrication and favourable electronic properties such as a single conduction
band valley, a small effective mass, and stable dopants. GaAs spin qubits are
readily produced in many labs and are currently studied for various
applications, including entanglement, quantum non-demolition measurements,
automatic tuning, multi-dot arrays, coherent exchange coupling, and
teleportation. Even while much attention is shifting to other materials, GaAs
devices will likely remain a workhorse for proof-of-concept quantum information
processing and solid-state experiments.
- Abstract(参考訳): 窒化ガリウム(GaAs)のゲート定義量子ドットは、作製の比較的単純さと、単一の伝導帯谷、小さな有効質量、安定なドーパントのような好ましい電子特性のために、スピン量子ビット装置のパイオニアとして広く用いられている。
GaAsスピン量子ビットは、多くの研究室で容易に生成され、現在、絡み合い、量子非破壊測定、自動チューニング、マルチドットアレイ、コヒーレント交換結合、テレポーテーションなど様々な用途で研究されている。
多くの注目が他の材料にシフトしているにもかかわらず、GaAsデバイスは概念実証量子情報処理や固体実験の原動力となるだろう。
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