論文の概要: Enhancement of concentration of XeV and GeV centers in nanocrystalline diamond through He+ irradiation

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2103.12800v1
• Date: Tue, 23 Mar 2021 19:07:51 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-04-07 01:58:08.302638
• Title: Enhancement of concentration of XeV and GeV centers in nanocrystalline diamond through He+ irradiation
• Title（参考訳）: He+照射によるナノ結晶ダイヤモンド中のXeVおよびGeV中心濃度の増強
• Authors: T. Chakraborty, K. J. Sankaran, K. Srinivasu, R. Nongjai, K. Asokan, C. H. Chen, H. Niu, K. Haenen
• Abstract要約: ナノ結晶ダイヤモンド(NCD)中のGeとXeの空孔濃度をHe+照射により高めることについて報告する。 NCDにはHe+イオンが照射され、光学分光測定によって特徴付けられる。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: Atomic defect centers in diamond have been widely exploited in numerous quantum applications like quantum information, sensing, quantum photonics and so on. In this context, there is always a requirement to improve and optimize the preparation procedure to generate the defect centers in controlled fashion, and to explore new defect centers which can have the potential to overcome the current technological challenges. Through this letter we report enhancing the concentration of Ge and Xe vacancy centers in nanocrystalline diamond (NCD) by means of He+ irradiation. We have demonstrated controlled growth of NCD by chemical vapor deposition (CVD) and implantation of Ge and Xe ions into the CVD-grown samples. NCDs were irradiated with He+ ions and characterized through optical spectroscopy measurements. Recorded photoluminescence results revealed a clear signature of enhancement of the Xe-related and Ge vacancies in NCDs.
• Abstract（参考訳）: ダイヤモンドの原子欠陥中心は、量子情報、センシング、量子フォトニクスなどの多くの量子応用で広く利用されている。 この文脈では、制御された方法で欠陥センターを生成するための準備手順を改善し、最適化し、現在の技術的課題を克服できる可能性のある新しい欠陥センターを探索する必要がある。 本報告では, ナノ結晶ダイヤモンド(NCD)中のGeおよびXe空孔濃度をHe+照射により高めることについて報告する。 CVD (Chemical vapor deposition) とGeおよびXeイオンのCVD-Gown試料への注入により, NCDの制御された成長を実証した。 ncdにhe+イオンを照射し,光学分光測定を行った。 記録光ルミネッセンスの結果,NCDにおけるXe関連およびGe空孔の増強の明確な徴候が認められた。

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