論文の概要: Antisite defect qubits in monolayer transition metal dichalcogenides

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2105.11019v1
• Date: Sun, 23 May 2021 21:00:55 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-03-30 01:13:44.553875
• Title: Antisite defect qubits in monolayer transition metal dichalcogenides
• Title（参考訳）: 単層遷移金属ジバルコゲナイドのアンチサイト欠陥量子ビット
• Authors: Jeng-Yuan Tsai, Jinbo Pan, Hsin Lin, Arun Bansil, Qimin Yan
• Abstract要約: 2次元遷移金属ジアルコゲナイドのアンチサイト欠陥は、制御可能な固体スピン量子ビット系を提供できることを示す。 本研究は,2次元TMDにおいて,スケーラブルで室温のスピン量子ビットを作成するための新しい経路を開拓する。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: Being atomically thin and amenable to external controls, two-dimensional (2D) materials offer a new paradigm for the realization of patterned qubit fabrication and operation at room temperature for quantum information sciences applications. Here we show that the antisite defect in 2D transition metal dichalcogenides (TMDs) can provide a controllable solid-state spin qubit system. Using high-throughput atomistic simulations, we identify several neutral antisite defects in TMDs that lie deep in the bulk band gap and host a paramagnetic triplet ground state. Our in-depth analysis reveals the presence of optical transitions and triplet-singlet intersystem crossing processes for fingerprinting these defect qubits. As an illustrative example, we discuss the initialization and readout principles of an antisite qubit in WS2, which is expected to be stable against interlayer interactions in a multilayer structure for qubit isolation and protection in future qubit-based devices. Our study opens a new pathway for creating scalable, room-temperature spin qubits in 2D TMDs.
• Abstract（参考訳）: 2次元(2次元)材料は、原子的に薄くて外部制御に適しており、量子情報科学への応用のために、パターン付き量子ビット製造と室温での操作を実現するための新しいパラダイムを提供する。 ここでは2次元遷移金属ジアルコゲナイド(TMD)の抗サイト欠陥が制御可能な固体スピン量子ビット系を提供することを示す。 高出力原子構造シミュレーションを用いて、バルクバンドギャップの奥深くに位置し、常磁性三重項基底状態を持つTMDのいくつかの中性アンチサイト欠陥を同定する。 我々は,これらの欠陥量子ビットをフィンガープリントするための光学的遷移と三重項回路間交差プロセスの存在を詳細に分析した。 例えば、ws2 におけるアンチサイト qubit の初期化と読み出しの原則について論じ、これは将来の qubit ベースのデバイスにおける qubit の分離と保護のための多層構造における層間相互作用に対して安定することが期待されている。 本研究は,2次元TMDにおいて,スケーラブルで室温のスピン量子ビットを作成するための新しい経路を開く。

関連論文リスト

• Angstrom-scale ion-beam engineering of ultrathin buried oxides for quantum and neuro-inspired computing [0.0]
  埋没した極薄のトンネル酸化物、2D材料、固体電解質を含む多層ナノスケールシステムは、次世代論理、メモリ、量子およびニューロインスパイアされた計算に不可欠である。 ここでは, イオンビームアニールを用いた拡張性アプローチを, アングストロームスケールの厚さ制御による埋没酸化膜工学に応用する。 Al/a-AlOx/Al構造上におけるNe+照射の分子動力学シミュレーションにより, イオン生成結晶欠陥の重要な役割が確認された。
  論文  参考訳（メタデータ） (2024-08-19T16:38:48Z)
• Investigations of 2D ion crystals in a hybrid optical cavity trap for quantum information processing [0.5461938536945723]
  静的電極電圧と光キャビティ場を用いた2次元イオン結晶のハイブリッドトラップ構造を数値解析した。 これらの2次元イオン結晶は、フラストレーションされたスピン系の量子シミュレーションのための優れたプラットフォームを提供する。
  論文  参考訳（メタデータ） (2023-08-18T01:25:25Z)
• Noise-resilient Edge Modes on a Chain of Superconducting Qubits [103.93329374521808]
  量子系の遺伝対称性は、それ以外は脆弱な状態を保護することができる。 非局所マヨラナエッジモード(MEM)を$mathbbZ$パリティ対称性で表す一次元キックドイジングモデルを実装した。 MEMは、予熱機構により特定の対称性を破るノイズに対して弾力性があることが判明した。
  論文  参考訳（メタデータ） (2022-04-24T22:34:15Z)
• Electromagnetically induced transparency in inhomogeneously broadened divacancy defect ensembles in SiC [52.74159341260462]
  電磁誘導透過 (EIT) は、光信号と電子スピンの量子コヒーレンスの間に強く堅牢な相互作用を与える現象である。 この材料プラットフォームにおいても,計測幾何学の慎重に設計した上で,EITを高視認性で確立できることが示される。 本研究は,多層システムにおけるEITの非均一性に対する理解を提供し,半導体の幅広い欠陥に対する考察である。
  論文  参考訳（メタデータ） (2022-03-18T11:22:09Z)
• Imaging dynamic exciton interactions and coupling in transition metal dichalcogenides [1.4446617408318685]
  遷移金属ジアルコゲナイド(TMD)は、量子情報科学および関連するデバイス応用のための材料プラットフォームとして考えられる。 TMD単層では、劣化時間と不均一性はあらゆる量子情報アプリケーションにとって重要なパラメータである。
  論文  参考訳（メタデータ） (2022-02-18T09:09:58Z)
• Review on coherent quantum emitters in hexagonal boron nitride [91.3755431537592]
  六方晶窒化ホウ素の欠陥中心の現況を光学的コヒーレント欠陥中心に焦点をあてて論じる。 スペクトル遷移線幅は室温でも異常に狭いままである。 この分野は、量子光学、量子フォトニクス、スピン光学などの量子技術への影響で広い視点に置かれている。
  論文  参考訳（メタデータ） (2022-01-31T12:49:43Z)
• TOF-SIMS Analysis of Decoherence Sources in Nb Superconducting Resonators [48.7576911714538]
  超伝導量子ビットは、潜在的に基盤となるプラットフォーム技術として出現している。 材料品質と界面構造は、デバイスの性能を抑え続けている。 薄膜および隣接領域の2レベル系欠陥はノイズを導入し、電磁エネルギーを散逸させる。
  論文  参考訳（メタデータ） (2021-08-30T22:22:47Z)
• Chemical tuning of spin clock transitions in molecular monomers based on nuclear spin-free Ni(II) [52.259804540075514]
  単核ニッケル錯体の電子スピン準位が最も低い2つの電子準位の間に、大きさの大きい量子トンネル分割が存在することを報告する。 このギャップに関連するレベルの反交差(磁気時計遷移)は、熱容量実験によって直接監視されている。 これらの結果と、対称性によってトンネルが禁止されているCo誘導体との比較は、クロック遷移が分子間スピン-スピン相互作用を効果的に抑制することを示している。
  論文  参考訳（メタデータ） (2021-03-04T13:31:40Z)
• Quantum Sensors for Microscopic Tunneling Systems [58.720142291102135]
  トンネル2層系(TLS)は超伝導量子ビットなどのマイクロファブリック量子デバイスにおいて重要である。 本稿では,薄膜として堆積した任意の材料に個々のTLSを特徴付ける手法を提案する。 提案手法は, トンネル欠陥の構造を解明するために, 量子材料分光の道を開く。
  論文  参考訳（メタデータ） (2020-11-29T09:57:50Z)
• Intersystem Crossing and Exciton-Defect Coupling of Spin Defects in Hexagonal Boron Nitride [1.3124513975412255]
  広帯域2Dシステムにおける量子欠陥を正確かつ体系的に設計するための理論的枠組みを確立する。 六方晶窒化ホウ素中のSiVVやTiVVやMoVVのようなスピン量子ビットのような有望な単一光子放出体を同定した。
  論文  参考訳（メタデータ） (2020-09-06T23:42:04Z)

関連論文リストは本サイト内にある論文のタイトル・アブストラクトから自動的に作成しています。

指定された論文の情報です。
本サイトの運営者は本サイト（すべての情報・翻訳含む）の品質を保証せず、本サイト（すべての情報・翻訳含む）を使用して発生したあらゆる結果について一切の責任を負いません。