Fugu-MT 論文翻訳(概要): GaN-based Bipolar Cascade Lasers with 25nm wide Quantum Wells: Simulation and Analysis

論文の概要: GaN-based Bipolar Cascade Lasers with 25nm wide Quantum Wells: Simulation and Analysis

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2106.14663v1
Date: Thu, 24 Jun 2021 15:30:05 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-03-25 16:01:23.375976
Title: GaN-based Bipolar Cascade Lasers with 25nm wide Quantum Wells: Simulation and Analysis
Title（参考訳）: 25nm広量子井戸を用いたGaN系バイポーラカスケードレーザーのシミュレーションと解析
Authors: J. Piprek, G. Muziol, M. Siekacz, and C. Skierbiszewski
Abstract要約: トンネル接合で区切られた複数のアクティブ領域を持つ独自のレーザー設計を解析し、驚くほど広い量子井戸を特徴とする。これらの量子井戸は、高次量子レベルによって光学利得が提供されるのに対して、強い内蔵の偏光場を完璧にスクリーニングすることができる。しかし, 内部吸収, 低pクラッド導電率, 自己加熱はレーザー性能を強く抑制することを示した。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
Abstract: We analyze internal device physics, performance limitations, and optimization options for a unique laser design with multiple active regions separated by tunnel junctions, featuring surprisingly wide quantum wells. Contrary to common assumptions, these quantum wells are revealed to allow for perfect screening of the strong built-in polarization field, while optical gain is provided by higher quantum levels. However, internal absorption, low p-cladding conductivity, and self-heating are shown to strongly limit the laser performance.
Abstract（参考訳）: トンネル接合部によって分離された複数のアクティブ領域を持つ特異なレーザー設計のための内部デバイス物理,性能制限,最適化オプションの解析を行い,驚くほど広い量子井戸を特徴とする。一般的な仮定とは対照的に、これらの量子井戸は、高次量子レベルによって光学利得が提供されるのに対して、強い内蔵偏光場を完璧にスクリーニングすることができる。しかし, 内部吸収, 低pクレーディング導電率, 自己加熱によりレーザー性能が強く制限された。

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