論文の概要: A strain-engineered graphene qubit in a nanobubble

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2111.12245v1
• Date: Wed, 24 Nov 2021 03:29:24 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-03-07 00:14:34.296264
• Title: A strain-engineered graphene qubit in a nanobubble
• Title（参考訳）: ナノバブル内のひずみ工学グラフェン量子ビット
• Authors: Nojoon Myoung, JungYun Han, Hee Chul Park
• Abstract要約: 擬似磁場により誘導される2レベル系を創発するグラフェンナノバブルにおける制御可能な量子ビットを提案する。 二重量子ドットは、ナノバブルのひずみ誘起擬似磁場によって生成することができ、それらの量子状態は局所ゲート電位または擬似磁場によって操作できることがわかった。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: We propose a controllable qubit in a graphene nanobubble with emergent two-level systems induced by pseudo-magnetic fields. We found that double quantum dots can be created by the strain-induced pseudo-magnetic fields of a nanobubble, and that their quantum states can be manipulated by either local gate potentials or the pseudo-magnetic fields. Graphene qubits clearly exhibit an avoided crossing behavior via electrical detuning, with energy splittings of about a few meV. We also show a remarkable tunability of our device design that allows for the fine control of the Landau--Zener transition probability through strain engineering of the nanobubble, showing half-and-half splitting at the avoided crossing point. Further, we demonstrate that the two-level systems in the nanobubble exhibit Rabi oscillations near the avoided crossing point, resulting in very fast Rabi cycles of a few ps.
• Abstract（参考訳）: 擬似磁場による創発的な2レベル系を有するグラフェンナノバブルの制御可能な量子ビットを提案する。 その結果、二重量子ドットはナノバブルの歪誘起擬似磁場によって生成され、量子状態は局所ゲートポテンシャルか擬似磁場のいずれかによって操作できることがわかった。 グラフェン量子ビットは電気的デチューニングによって避けられる交差挙動を示し、エネルギー分割は約数mevである。 また,ナノバブルのひずみ工学によるランダウ-ゼナー遷移確率の微妙な制御を可能にするデバイス設計の卓越したチューニング性を示し,回避された交差点で半半分裂を示す。 さらに, ナノバブル中の2レベル系が通過点付近でラビ振動を示し, 数psのラビサイクルが非常に高速であることを示す。

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