Fugu-MT 論文翻訳(概要): Entangling spin and charge degrees of freedom in semiconductor quantum dots

論文の概要: Entangling spin and charge degrees of freedom in semiconductor quantum dots

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2201.06506v2
Date: Mon, 28 Mar 2022 19:08:57 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-02-28 22:46:17.389359
Title: Entangling spin and charge degrees of freedom in semiconductor quantum dots
Title（参考訳）: 半導体量子ドットにおけるスピンの絡み合いと電荷自由度
Authors: Marko J. Ran\v{c}i\'c
Abstract要約: 3つのうち2つの量子ドットは、1つの電子半導体電荷量子ビットを定義するために用いられる。スピン量子ビットは第3量子ドットのゼーマン部分レベルに埋め込まれる。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
Abstract: In this theoretical manuscript I propose a scheme for entangling a single electron semiconductor spin qubit with a single electron semiconductor charge qubit in a triangular triple quantum dot configuration. Two out of three quantum dots are used to define a single electron semiconductor charge qubit. Furthermore, the spin qubit is embedded in the Zeeman sub-levels of the third quantum dot. Combining single qubit gates with entangling CNOT gates allows one to construct a SWAP gate, and therefore to use the semiconductor spin qubit as a long-lived memory for the semiconductor charge qubit.
Abstract（参考訳）: 本稿では, 単一電子半導体スピン量子ビットと1つの電子半導体電荷量子ビットを三角形の3つの量子ドット構成で絡める手法を提案する。 3つの量子ドットのうち2つは単一の電子半導体電荷 qubit を定義するために用いられる。さらに、スピン量子ビットは第3量子ドットのゼーマン部分レベルに埋め込まれている。単一量子ビットゲートと絡み合うcnotゲートを組み合わせることでスワップゲートを構築することができ、半導体スピン量子ビットを半導体電荷量子ビットの長寿命メモリとして用いることができる。

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