論文の概要: Generation of Super Intense Isolated Attosecond Pulses from Trapped
Electrons in Metal Surfaces
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2203.12061v1
- Date: Tue, 22 Mar 2022 21:46:30 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-02-21 02:40:32.356994
- Title: Generation of Super Intense Isolated Attosecond Pulses from Trapped
Electrons in Metal Surfaces
- Title（参考訳）: 金属表面における引抜き電子からの超高強度アト秒パルスの生成
- Authors: Younes Adnani, Abdelmalek Taoutioui, Abdelkader Makhoute, K\'aroly
T\"ok\'esi and Hicham Agueny
- Abstract要約: 超広帯域孤立型アト秒パルス(IAP)の生成は、化学・物質科学における時間分解応用に不可欠である。
高速高次高次高調波発生(HHG)の数値計算法を提案し,XUV領域と軟X線領域における超広帯域IAPの生成について検討した。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: Generation of ultrabroadband isolated attosecond pulses (IAPs) is essential
for time-resolved applications in chemical and material sciences, as they have
the potential to access the spectral water window region of chemical elements,
which yet has to be established. Here we propose a numerical scheme for highly
efficient high-order harmonic generation (HHG) and hence the generation of
ultrabroadband IAPs in the XUV and soft x-ray regions. The scheme combines the
use of chirped pulses with trapped electrons in copper transition-metal
surfaces and takes advantage of the characteristic features of an infrared (IR)
single-cycle pulse to achieve high conversion efficiencies and large spectral
bandwidths. In particular, we show that ultrabroad IAPs with a duration of 370
as and with a bandwidth covering the photon energy range of 50-250 and 350-450
eV can be produced. We further show that introducing an additional IR single
cycle pulse permits to enhance the harmonic yield in the soft x-ray photon
energy region by almost 7 order of magnitude. Our findings thus elucidate the
relevance of trapped electrons in metal surfaces for developing stable and
highly efficient attosecond light sources in compact solid-state devices.
- Abstract（参考訳）: 超広帯域孤立型アト秒パルス(IAPs)の生成は、化学・物質科学における時間分解応用において必須であり、化学元素のスペクトル水窓領域にアクセスできる可能性があるため、まだ確立されていない。
本稿では,高効率高次高次高調波発生(HHG)の数値計算法を提案し,XUV領域と軟X線領域における超広帯域IAPの生成について述べる。
この方式は銅遷移金属表面におけるチャープパルスと閉じ込められた電子の使用を組み合わせることで、赤外線(ir)単サイクルパルスの特徴を生かして高い変換効率と大きなスペクトル帯域を実現する。
特に,光子エネルギー範囲50-250と350-450eVをカバーする帯域幅370の超広帯域IAPを製造可能であることを示す。
さらに,追加のir単サイクルパルスを導入することで,軟x線光子エネルギー領域の高調波収率を約7桁向上できることを示した。
その結果, 金属表面における捕捉電子の関連性は, 小型固体デバイスにおける安定かつ高効率なアト秒光源の開発に有効であることがわかった。
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