論文の概要: Manipulating Interlayer Excitons for Ultra-pure Near-infrared Quantum Light Generation

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2205.02472v1
• Date: Thu, 5 May 2022 07:03:17 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-02-14 06:29:09.474498
• Title: Manipulating Interlayer Excitons for Ultra-pure Near-infrared Quantum Light Generation
• Title（参考訳）: 超純度近赤外量子光発生のための層間励起子操作
• Authors: Huan Zhao, Linghan Zhu, Xiangzhi Li, Vigneshwaran Chandrasekaran, Jon Kevin Baldwin, Michael T. Pettes, Andrei Piryatinski, Li Yang, Han Htoon
• Abstract要約: ひずみ、欠陥、層状化を利用して、明るく、堅牢で、調整可能な量子光の放出が可能な欠陥バウンドIXを生成する方法を示す。 欠陥境界IXsからサイト制御QEを作成するという我々の戦略は、2次元量子フォトニクス研究のパラダイムシフトを表している。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 15.057518048643187
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: Interlayer excitons (IXs) formed at the interface of atomically-thin semiconductors possess various novel properties. In a parallel development, nanoscale strain engineering has emerged as an effective means for creating 2D quantum light sources. Exploring the intersection of these two exciting areas, where strain and defects are exploited for the manipulation of IX toward the emergence of new functionalities, is currently at a nascent stage. Here, using MoS2/WSe2 heterostructure as a model system, we demonstrate how strain, defects, and layering can be utilized to create defect-bound IXs capable of bright, robust, and tunable quantum light emission in the technologically important near-infrared spectral range. We were able to achieve ultra-high single-photon purity with g(2)(0) = 0.01. Our strategy of creating site-controlled QEs from the defect-bound IXs represents a paradigm shift in 2D quantum photonics research, from engineering intralayer exciton in monolayer structures towards IXs at the interface of 2D heterostructures.
• Abstract（参考訳）: 原子性薄膜半導体の界面で形成される層間励起子(ixs)は様々な新しい性質を有する。 並列開発において、ナノスケールのひずみ工学は2次元量子光源を作る効果的な方法として登場した。 これら2つのエキサイティングな領域の交差点を探索し、新しい機能性の出現に向けたIXの操作にひずみと欠陥が利用され、現在、初期段階にある。 本稿では,mos2/wse2ヘテロ構造をモデルシステムとして用いることで,技術上重要な近赤外スペクトル領域において,光沢,ロバスト,波長可変量子発光が可能な欠陥バウンドixを生成できることを示す。 g(2)(0) = 0.01 で超高光子純度を達成できた。 欠陥結合型IXからサイト制御QEを作成する戦略は、2次元量子フォトニクス研究におけるパラダイムシフトであり、2次元ヘテロ構造の界面における単層構造における工学的層内エキシトンからIXへのシフトである。

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