論文の概要: Control of chiral orbital currents in a colossal magnetoresistance
material
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2209.08672v1
- Date: Sun, 18 Sep 2022 22:53:21 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-01-26 04:42:16.389992
- Title: Control of chiral orbital currents in a colossal magnetoresistance
material
- Title（参考訳）: 巨大磁気抵抗材料中のキラル軌道電流の制御
- Authors: Yu Zhang, Yifei Ni, Hengdi Zhao, Sami Hakani, Feng Ye, Lance DeLong,
Itamar Kimchi and Gang Cao
- Abstract要約: MnTe6オクタヘドラの縁に沿って流れるab面キラル軌道電流(COC)によって駆動されるエキゾチック量子状態について報告する。
強磁性Mnスピンとab平面COCのc軸軌道モーメントは、磁場がc軸に沿って配列されている場合、ab平面導電率(CMR)を劇的に増大させる。
COC対応CMRとビスタブルスイッチングの制御は、量子技術に根本的に新しいパラダイムを提供する。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 6.520855316274887
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Colossal magnetoresistance (CMR) is an extraordinary enhancement of the
electric conductivity in the presence of a magnetic field. It is conventionally
associated with a field-induced spin polarization, which drastically reduces
spin scattering and thus electric resistance. However, ferrimagnetic Mn3Si2Te6
is an intriguing exception to this rule: it exhibits a 7-order-of-magnitude
reduction in ab-plane resistivity with a 13-Tesla anisotropy field which occur
only when a magnetic polarization is avoided [1]. Here we report an exotic
quantum state that is driven by ab-plane chiral orbital currents (COC) flowing
along edges of MnTe6 octahedra. The c-axis orbital moments of ab-plane COC
couple to the ferrimagnetic Mn spins to drastically increase the ab-plane
conductivity (CMR) when an external magnetic field is aligned along the
magnetic hard c-axis. Both the COC state and its CMR are extraordinarily
susceptible to small DC currents exceeding a critical threshold, and a hallmark
of this COC state is an exotic time-dependent, bistable switching mimicking a
first-order melting transition. The control of the COC-enabled CMR and bistable
switching offers a fundamentally new paradigm for quantum technologies.
- Abstract（参考訳）: colossal magneticresistance (cmr) は磁場の存在下での電気伝導率の異常な向上である。
従来は磁場誘起スピン偏光と関連しており、スピン散乱と電気抵抗を劇的に減少させる。
しかし、強磁性Mn3Si2Te6はこの規則の興味深い例外であり、磁気偏極を避けた場合にのみ生じる13-Tesla異方性場を持つab面比抵抗の7次の減少を示す[1]。
ここでは、MnTe6オクタヘドラの端に沿って流れるab面カイラル軌道電流(COC)によって駆動されるエキゾチックな量子状態について報告する。
強磁性Mnスピンとab平面COCのc軸軌道モーメントは、磁場がc軸に沿って配列されている場合、ab平面導電率(CMR)を劇的に増大させる。
COC状態とそのCMRは、臨界しきい値を超える小さな直流電流に極端に感受性があり、このCOC状態の目印は、一階融解遷移を模倣するエキゾチックな時間依存性のバイスタブルスイッチングである。
COC対応CMRとビスタブルスイッチングの制御は、量子技術に根本的に新しいパラダイムを提供する。
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