論文の概要: Influence of imperfections on tunneling rate in $\delta$-layer junctions

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2209.11343v3
• Date: Fri, 6 Oct 2023 03:16:22 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-10-13 16:21:07.932221
• Title: Influence of imperfections on tunneling rate in $\delta$-layer junctions
• Title（参考訳）: $\delta$-layer接合のトンネル速度に及ぼす欠陥の影響
• Authors: Juan P. Mendez and Shashank Misra and Denis Mamaluy
• Abstract要約: シリコン中の$delta$-layerトンネル接合における不完全性の影響について検討する。 トンネルギャップ内の1つの荷電不純物は、トンネルの速度を1桁以上変更することができる。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: The atomically precise placement of dopants in semiconductors using scanning tunneling microscopes has been used to create planar dopant-based devices, enabling the exploration of novel classical or quantum computing concepts, which often require precise control over tunneling rates in their operation. While the geometry of the dopants can be defined to sub-nanometer precision, imperfections can still play a significant role in determining the tunneling rates. Here, we investigate the influence of different imperfections in phosphorous $\delta$-layer tunnel junctions in silicon: variations of $\delta$-layer thickness and tunnel gap width, interface roughness, and charged impurities. It is found that while most of the imperfections moderately affect the tunneling rate, a single charged impurity in the tunnel gap can alter the tunneling rate by more than an order of magnitude, even for relatively large tunnel gaps. Moreover, it is also revealed that the tunneling rate strongly depends on the electrical charge sign of the impurity.
• Abstract（参考訳）: 走査型トンネル顕微鏡を用いた半導体中のドーパントの原子的精密配置は、平面ドーパントベースのデバイスを作成するために使われ、新しい古典的あるいは量子コンピューティングの概念を探索することができる。 ドーパントの形状はサブナノメータ精度で定義できるが、トンネル速度の決定には不完全さが重要な役割を果たす。 そこで本研究では, シリコンのリン系$\delta$-layerトンネル接合における異なる不完全性の影響について検討する。 その結果, トンネル間隙における荷電不純物は, 比較的大きなトンネル間隙であっても, トンネル間隙内の1つの荷電不純物によって1桁以上のトンネル間隙が変化することがわかった。 また, トンネル速度は不純物の電荷サインに強く依存していることが明らかとなった。

関連論文リスト

• Influence of a squeezed prewell on tunneling properties and bound states in heterostructures [49.1574468325115]
  荷電粒子の伝送に対する極薄電位井戸の共振トンネル効果について検討した。 ピーク・ツー・ヴァレー比は井戸のスクイーズによって著しく増加することが示されている。
  論文  参考訳（メタデータ） (2024-07-01T10:24:57Z)
• Floquet-driven crossover from density-assisted tunneling to enhanced pair tunneling [0.0]
  Floquet-reduced single- Particle tunneling と比較して, 対のトンネル速度を向上できるだけでなく, 静的な超交換速度を超えても向上できることを示す。 これにより、超低温原子系における明示的なペアトンネルによるモデルの実現が可能となる。
  論文  参考訳（メタデータ） (2024-04-12T14:02:57Z)
• Tunneling dynamics of $^{164}$Dy supersolids and droplets [0.0]
  磁気的164$Dy量子ガスのトンネル力学を, 長尺またはパンケーキスキュードダブルウェルトラップを用いて検討した。 伸長トラップと十分に大きなオフセットでは、異なる構成が集合的なマクロなトンネルを示す。
  論文  参考訳（メタデータ） (2024-01-08T08:17:58Z)
• Uncovering anisotropic effects of electric high-moment dipoles on the tunneling current in $\delta$-layer tunnel junctions [0.0]
  2つの異なる導電性機構が$delta$-layer tunnel junctionsに存在する。 高抵抗トンネルモードを持つ低バイアス状態では、ほぼすべての方向とモーメントの双極子不純物は電流を変化させることができる。 比抵抗が低い高バイアス状態では、高モーメントの双極子欠陥のみが電子トンネル方向に配向し、電流に顕著に影響を及ぼす。
  論文  参考訳（メタデータ） (2023-10-10T15:27:41Z)
• Multilevel resonant tunneling in the presence of flux and charge noise [64.0476282000118]
  フラックス量子ビットにおけるマクロ共鳴トンネル(MRT)は、量子ビットの周囲で発生するノイズに関する情報を抽出するための重要な実験ツールである。 RF-SQUIDフラックス量子ビットにおけるMRT信号の詳細な導出を行い,フラックスおよび電荷変動がシステム内の坑井内および坑井内遷移に与える影響について検討した。
  論文  参考訳（メタデータ） (2022-09-21T18:59:36Z)
• Space-time resolved quantum field approach to Klein tunneling dynamics across a finite barrier [0.0]
  共鳴トンネルの場合であっても、粒子は実際には有限超臨界障壁をトンネルしない。 送信は、バリアの各端でペア生産率の変調によって媒介される。
  論文  参考訳（メタデータ） (2022-05-30T14:13:15Z)
• Tunneling Gravimetry [58.80169804428422]
  慣性センシングのための物質波Fabry-P'erot干渉計の実用化の可能性について検討する。 本研究では,2つの形状における加速度測定のためのトンネル型センサについて検討した。
  論文  参考訳（メタデータ） (2022-05-19T09:22:11Z)
• TOF-SIMS Analysis of Decoherence Sources in Nb Superconducting Resonators [48.7576911714538]
  超伝導量子ビットは、潜在的に基盤となるプラットフォーム技術として出現している。 材料品質と界面構造は、デバイスの性能を抑え続けている。 薄膜および隣接領域の2レベル系欠陥はノイズを導入し、電磁エネルギーを散逸させる。
  論文  参考訳（メタデータ） (2021-08-30T22:22:47Z)
• Probing defect densities at the edges and inside Josephson junctions of superconducting qubits [58.720142291102135]
  乱れた材料のトンネル欠陥は、2段階の急激なシステムを形成する。 超伝導量子ビットの場合、サブミクロサイズのジョセフソン接合のトンネル障壁の欠陥は量子ビットに最も強い。 接合部の非晶質トンネル壁の先端部や奥深くに欠陥が出現するかどうかを調べた。
  論文  参考訳（メタデータ） (2021-08-14T15:01:35Z)
• Chemical tuning of spin clock transitions in molecular monomers based on nuclear spin-free Ni(II) [52.259804540075514]
  単核ニッケル錯体の電子スピン準位が最も低い2つの電子準位の間に、大きさの大きい量子トンネル分割が存在することを報告する。 このギャップに関連するレベルの反交差(磁気時計遷移)は、熱容量実験によって直接監視されている。 これらの結果と、対称性によってトンネルが禁止されているCo誘導体との比較は、クロック遷移が分子間スピン-スピン相互作用を効果的に抑制することを示している。
  論文  参考訳（メタデータ） (2021-03-04T13:31:40Z)

関連論文リストは本サイト内にある論文のタイトル・アブストラクトから自動的に作成しています。

指定された論文の情報です。
本サイトの運営者は本サイト（すべての情報・翻訳含む）の品質を保証せず、本サイト（すべての情報・翻訳含む）を使用して発生したあらゆる結果について一切の責任を負いません。