論文の概要: Photoluminescence imaging of single photon emitters within nanoscale
strain profiles in monolayer WSe$_2$
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2301.09478v1
- Date: Mon, 23 Jan 2023 15:21:28 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-01-24 13:14:45.506757
- Title: Photoluminescence imaging of single photon emitters within nanoscale
strain profiles in monolayer WSe$_2$
- Title（参考訳）: 単層wse$_2$のナノひずみプロファイルにおける単一光子放出子の発光イメージング
- Authors: Artem N. Abramov, Igor Y. Chestnov, Ekaterina S. Alimova, Tatiana
Ivanova, Ivan S. Mukhin, Dmitry N. Krizhanovskii, Ivan A. Shelykh, Ivan V.
Iorsh and Vasily Kravtsov
- Abstract要約: ファンデルワールス材料の局所変形は、チップ互換単一光子エミッタ(SPE)を作るための強力なアプローチを提供する
ここでは単層WSe$indentationで生成した1光子純度を最大98%まで含むSPEについて検討する。
原子間力顕微鏡と組み合わせたフォトルミネッセンスイメージングを用いて, 深部波長空間スケールの単一光子発光部位を同定した。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Local deformation of atomically thin van der Waals materials provides a
powerful approach to create site-controlled chip-compatible single-photon
emitters (SPEs). However, the microscopic mechanisms underlying the formation
of such strain-induced SPEs are still not fully clear, which hinders further
efforts in their deterministic integration with nanophotonic structures for
developing practical on-chip sources of quantum light. Here we investigate SPEs
with single-photon purity up to 98% created in monolayer WSe$_2$ via
nanoindentation. Using photoluminescence imaging in combination with atomic
force microscopy, we locate single-photon emitting sites on a deep
sub-wavelength spatial scale and reconstruct the details of the surrounding
local strain potential. The obtained results suggest that the origin of the
observed single-photon emission is likely related to strain-induced spectral
shift of dark excitonic states and their hybridization with localized states of
individual defects.
- Abstract（参考訳）: 原子的に薄いファンデルワールス材料の局所変形は、サイト制御されたチップ互換単光子エミッタ(SPE)を作成する強力なアプローチを提供する。
しかし、そのような歪誘起speの形成の基盤となる微視的なメカニズムはまだ完全には解明されていないため、量子光の実用的なオンチップ源を開発するためのナノフォトニクス構造との決定論的統合のさらなる努力を妨げている。
ここでは単光子純度を持つSPEをナノインデンテーションにより単層WSe$_2$で生成する。
原子間力顕微鏡と組み合わせたフォトルミネッセンスイメージングを用いて, 深度サブ波長空間スケール上の単一光子放出部位を特定し, 周囲の局所ひずみポテンシャルの詳細を再構築する。
その結果、観測された単一光子放出の起源は、暗黒励起状態のひずみ誘起スペクトルシフトと個々の欠陥の局所状態とのハイブリッド化と関連している可能性が示唆された。
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