論文の概要: Accelerate & Actualize: Can 2D Materials Bridge the Gap Between
Neuromorphic Hardware and the Human Brain?
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2301.10277v1
- Date: Tue, 24 Jan 2023 19:21:39 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-01-26 16:32:52.844265
- Title: Accelerate & Actualize: Can 2D Materials Bridge the Gap Between
Neuromorphic Hardware and the Human Brain?
- Title(参考訳): 加速と現実化:2D材料はニューロモルフィック・ハードウェアと人間の脳のギャップを橋渡しできるか?
- Authors: Xiwen Liu, Keshava Katti, and Deep Jariwala
- Abstract要約: 二次元(2D)材料は、フォン・ノイマンの計算アーキテクチャパラダイムを超えたデバイスやシステムにとってエキサイティングな機会となる。
非揮発性メモリ(NVM)デバイスの主要クラスは2D材料で実証されている。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.6423239719448168
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Two-dimensional (2D) materials present an exciting opportunity for devices
and systems beyond the von Neumann computing architecture paradigm due to their
diversity of electronic structure, physical properties, and atomically-thin,
van der Waals structures that enable ease of integration with conventional
electronic materials and silicon-based hardware. All major classes of
non-volatile memory (NVM) devices have been demonstrated using 2D materials,
including their operation as synaptic devices for applications in neuromorphic
computing hardware. Their atomically-thin structure, superior physical
properties, i.e., mechanical strength, electrical and thermal conductivity, as
well as gate-tunable electronic properties provide performance advantages and
novel functionality in NVM devices and systems. However, device performance and
variability as compared to incumbent materials and technology remain major
concerns for real applications. Ultimately, the progress of 2D materials as a
novel class of electronic materials and specifically their application in the
area of neuromorphic electronics will depend on their scalable synthesis in
thin-film form with desired crystal quality, defect density, and phase purity.
- Abstract(参考訳): 二次元(2D)材料は、従来の電子材料やシリコンベースのハードウェアとの統合を容易にするための電子構造、物理的性質、原子の薄いファンデルワールス構造の多様性のために、フォン・ノイマン計算アーキテクチャのパラダイムを超えてデバイスやシステムにエキサイティングな機会を与える。
非揮発性メモリ(NVM)デバイスの主要クラスは、ニューロモルフィックコンピューティングハードウェアへの応用のためのシナプスデバイスとしての動作を含む2D材料を用いて実証されている。
原子的に薄い構造、優れた物理的特性、すなわち機械的強度、電気的および熱的伝導度、およびゲート可変電子特性は、NVMデバイスやシステムにおいて性能上の利点と新規な機能をもたらす。
しかし、既存の材料や技術と比較してデバイスの性能と変動性は、実際のアプリケーションにとって大きな関心事である。
最終的に、新しい種類の電子材料としての2d材料の進歩、特にニューロモルフィックエレクトロニクスの分野でのそれらの応用は、所望の結晶品質、欠陥密度、位相純度を持つ薄膜形式のスケーラブルな合成に依存している。
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