論文の概要: Floquet-engineered chiral-induced spin selectivity

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2302.09805v1
• Date: Mon, 20 Feb 2023 07:06:17 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-02-21 16:27:22.552762
• Title: Floquet-engineered chiral-induced spin selectivity
• Title（参考訳）: フロッケによるキラル誘起スピン選択性
• Authors: Nguyen Thanh Phuc
• Abstract要約: 本研究では,Floquet 工学の枠組みにおいて,外周偏光レーザー場によって駆動されるアキラル系において CISS が観測可能であることを示す。 大きなスピン分極のためのより広い範囲のエネルギーを得るために、キラル分子と光-物質相互作用の組合せを考える。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: The control of electron spin, which is crucial to the stability of matter, offers new possibilities for manipulating the properties of molecules and materials with potential applications in spintronics and chemical reactions. Recent experiments have demonstrated that electron transmission through chiral molecules depends on the electron spin orientation, a phenomenon known as chiral-induced spin selectivity (CISS). In this study, we show that CISS can be observed in achiral systems driven by an external circularly polarized laser field in the framework of Floquet engineering. By using the Floquet theory for a time-periodically driven system to investigate spin-dependent electron transport in a two-terminal setup, we demonstrate that the spin polarization can approach unity if the light intensity is sufficiently strong, the rate of dephasing is sufficiently small, and the average chemical potential of the two leads is within an appropriate range of values, which is narrow because of the high frequency of the laser field. To obtain a wider range of energies for large spin polarization, a combination of chiral molecules and light-matter interactions is considered and the spin polarization of electrons transported through a helical molecule driven by a laser field is evaluated.
• Abstract（参考訳）: 物質の安定性に不可欠な電子スピンの制御は、分子や物質の特性を操作する新たな可能性を与え、スピントロニクスや化学反応に応用できる可能性がある。 最近の実験では、キラル分子による電子伝達は、キラル誘起スピン選択性(CISS)として知られる電子スピン配向に依存することが示されている。 本研究では,Floquet 工学の枠組みにおいて,外周偏光レーザー場によって駆動されるアキラル系において CISS が観測可能であることを示す。 時間周期駆動系のフロッケ理論を用いてスピン依存電子輸送を二端子系で検討することにより、光強度が十分強く、デファスメントの速度が十分小さく、2つのリードの平均化学ポテンシャルが適切な値の範囲内にあり、レーザー磁場の高頻度のため狭くなる場合にスピン偏極が一元に近づくことを実証する。 より大きなスピン偏光のためのより広い範囲のエネルギーを得るために、キラル分子と光-物質相互作用の組合せを考慮し、レーザー場によって駆動されるヘリカル分子を介して輸送される電子のスピン偏光を評価する。

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