論文の概要: Site-specific stable deterministic single photon emitters with low
Huang-Rhys value in layered hexagonal boron nitride at room temperature
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2307.11433v1
- Date: Fri, 21 Jul 2023 08:53:05 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-07-24 13:12:12.953350
- Title: Site-specific stable deterministic single photon emitters with low
Huang-Rhys value in layered hexagonal boron nitride at room temperature
- Title（参考訳）: 層状六方晶窒化ホウ素の室温におけるHuang-Rhys値の低いサイト特異的安定決定性単一光子発光体
- Authors: Amit Bhunia, Pragya Joshi, Nitesh Singh, Biswanath Chakraborty and
Rajesh V Nair
- Abstract要約: 六方晶窒化ホウ素フレーク(h-BN)の原子欠陥を利用した安定室温の明るい単一光子発光器の開発は、量子技術に重要な約束を提供する。
ここでは、高放射率かつ前例のない低いHR値0.6の単一光子を室温で放出する、サイト特異的で孤立した安定量子エミッタのフォトニック特性について論じる。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: Development of stable room-temperature bright single-photon emitters using
atomic defects in hexagonal-boron nitride flakes (h-BN) provides significant
promises for quantum technologies. However, an outstanding challenge in h-BN is
creating site-specific, stable, high emission rate single photon emitters with
very low Huang-Rhys (HR) factor. Here, we discuss the photonic properties of
site-specific, isolated, stable quantum emitter that emit single photons with a
high emission rate and unprecedented low HR value of 0.6 at room temperature.
Scanning confocal image confirms site-specific single photon emitter with a
prominent zero-phonon line at ~578 nm with saturation photon counts of 105
counts/second. The second-order intensity-intensity correlation measurement
shows an anti-bunching dip of ~0.25 with an emission lifetime of 2.46 ns.
Low-energy electron beam irradiation and subsequent annealing are important to
achieve stable single photon emitters.
- Abstract（参考訳）: ヘキサゴナルボロン窒化フレーク(h-bn)の原子欠陥を利用した安定な室温単光子エミッタの開発は量子技術に大きな期待を与える。
しかし、h-BNの顕著な課題は、非常に低いHuang-Rhys (HR) 因子を持つサイト特異的で安定で高放射率の単一光子放出体を作ることである。
ここでは、高放射率かつ前例のない低いHR値0.6の単一光子を室温で放出する、サイト特異的で孤立した安定量子エミッタのフォトニック特性について論じる。
走査共焦点画像は、ゼロフォノンラインが約578nm、飽和光子数105秒のサイト固有の単一光子エミッタを確認する。
2階の強度-強度相関測定は、放出寿命が2.46 nsの反膨らみが0.25であることを示している。
安定な単一光子エミッタを実現するためには、低エネルギー電子線照射とその後の熱処理が重要である。
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