論文の概要: Decoherence of a tunable capacitively shunted flux qubit
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2307.13961v1
- Date: Wed, 26 Jul 2023 05:22:05 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2023-07-27 13:28:08.807403
- Title: Decoherence of a tunable capacitively shunted flux qubit
- Title(参考訳): 可変容量束量子ビットのデコヒーレンス
- Authors: R. Trappen, X. Dai, M. A. Yurtalan, D. Melanson, D. M. Tennant, A. J.
Martinez, Y. Tang, J. Gibson, J. A. Grover, S. M. Disseler, J. I. Basham, R.
Das, D. K. Kim, A. J. Melville, B. M. Niedzielski, C. F. Hirjibehedin, K.
Serniak, S. J. Weber, J. L. Yoder, W. D. Oliver, D. A. Lidar, A. Lupascu
- Abstract要約: クビット対称性点における測定された緩和は、主に$sim3textGHz$以下のクビット周波数に対する主クビットループの内在的なフラックスノイズに起因する。
測定された劣化速度は、主に2つのキュービットループの内在性低周波フラックスノイズが原因である。
この結果は、コヒーレンスを増大させた超伝導量子アニールの構築に向けた継続的な取り組みに関係している。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: We present a detailed study of the coherence of a tunable
capacitively-shunted flux qubit, designed for coherent quantum annealing
applications. The measured relaxation at the qubit symmetry point is mainly due
to intrinsic flux noise in the main qubit loop for qubit frequencies below
$\sim3~\text{GHz}$. At higher frequencies, thermal noise in the bias line makes
a significant contribution to the relaxation, arising from the design choice to
experimentally explore both fast annealing and high-frequency control. The
measured dephasing rate is primarily due to intrinsic low-frequency flux noise
in the two qubit loops, with additional contribution from the low-frequency
noise of control electronics used for fast annealing. The flux-bias dependence
of the dephasing time also reveals apparent noise correlation between the two
qubit loops, possibly due to non-local sources of flux noise or junction
critical-current noise. Our results are relevant for ongoing efforts toward
building superconducting quantum annealers with increased coherence.
- Abstract(参考訳): 本稿では,コヒーレント量子アニーリング用に設計された波長可変容量量子束量子ビットのコヒーレンスに関する詳細な研究を行う。
クビット対称性点における測定された緩和は、主に$\sim3~\text{GHz}$以下のクビット周波数に対する主クビットループの固有フラックスノイズに起因する。
高い周波数では、バイアスラインの熱ノイズが緩和に大きく寄与し、高速熱処理と高周波制御の両方を実験的に探索する設計選択から生じる。
測定された消耗速度は、主に2つの量子ビットループの固有低周波フラックスノイズによるもので、高速アニーリングに用いられる制御電子回路の低周波ノイズによる追加の寄与がある。
劣化時間のフラックスバイアス依存性は、おそらく局所的なフラックスノイズやジャンクション臨界電流ノイズによる2つのキュービットループ間の明らかなノイズ相関も示している。
この結果は、コヒーレンスを増大させた超伝導量子アニールの構築に向けた継続的な取り組みに関係している。
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