論文の概要: Origin of electrical noise near charge neutrality in dual gated graphene device

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2309.12011v1
• Date: Thu, 21 Sep 2023 12:28:32 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-09-22 15:29:36.238568
• Title: Origin of electrical noise near charge neutrality in dual gated graphene device
• Title（参考訳）: 二重ゲートグラフェンデバイスにおける電荷中立近傍の電気ノイズの起源
• Authors: Aaryan Mehra, Roshan Jesus Mathew, and Chandan Kumar
• Abstract要約: 本文は,hBN封入グラフェンデバイスにおける低周波1/fノイズを二重ゲート形状で調査する。 低いnBGのノイズは、トップゲートキャリア密度とは独立である。 ノイズの形状は、装置の電荷不均一領域と密接に関連している。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 1.798594109079455
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: This letter investigates low frequency 1/ f noise in hBN encapsulated graphene device in a dual gated geometry. The noise study is performed as a function of top gate carrier density (nT G) at different back gate densities (nBG). The noise at low nBG is found to be independent of top gate carrier density. With increasing nBG, noise value increases and a noise peak is observed near charge inhomogeneity of the device. Further increase in nBG leads to decrease in noise magnitude. The shape of the noise is found to be closely related to charge inhomogeneity region of the device. Moreover, the noise and conductivity data near charge neutrality shows clear evidence of noise emanating from combination of charge number and mobility fluctuation
• Abstract（参考訳）: 本文は,hBN封入グラフェンデバイスにおける低周波1/fノイズを二重ゲート形状で調査する。 ノイズスタディは、異なるバックゲート密度(nBG)におけるトップゲートキャリア密度(nTG)の関数として実行される。 低いnBGのノイズは、トップゲートキャリア密度とは独立である。 nBGの増加に伴い、ノイズ値が増加し、装置の電荷不均一付近でノイズピークが観測される。 さらにnBGの増加は、ノイズの規模を減少させる。 ノイズの形状はデバイスの電荷不均一性領域と密接に関連していることがわかった。 さらに,帯電中性付近の騒音・導電性データは,帯電数と移動度変動の組み合わせから発生する騒音の明確な証拠を示す。

関連論文リスト

• Andreev reflection mediated $Δ_T$ noise [0.0]
  金属絶縁体-超伝導接合のDelta_T$ノイズは金属絶縁体-金属接合よりもかなり大きい。 Delta_T$ノイズは, 当初はバリア強度, ピーク, 次いで減少し, 温度バイアスにより着実に増加することがわかった。
  論文  参考訳（メタデータ） (2024-03-16T18:21:03Z)
• The Effect of Non-Gaussian Noise on Auto-correlative Weak-value Amplification [2.5631808142941415]
  自動相関弱値増幅法(AWVA)における非ガウス雑音の影響について検討した。 特に、負のdB信号対雑音比、周波数定常雑音、周波数非定常雑音の2種類のノイズについて検討した。
  論文  参考訳（メタデータ） (2022-09-26T14:34:42Z)
• Multilevel resonant tunneling in the presence of flux and charge noise [64.0476282000118]
  フラックス量子ビットにおけるマクロ共鳴トンネル(MRT)は、量子ビットの周囲で発生するノイズに関する情報を抽出するための重要な実験ツールである。 RF-SQUIDフラックス量子ビットにおけるMRT信号の詳細な導出を行い,フラックスおよび電荷変動がシステム内の坑井内および坑井内遷移に与える影響について検討した。
  論文  参考訳（メタデータ） (2022-09-21T18:59:36Z)
• Noise-correlation spectrum for a pair of spin qubits in silicon [0.0]
  一対のシリコンスピン量子ビットにおけるノイズ相関の程度を100nm間隔で定量化する。 我々は1Hzで0.7の相関強度を持つ強い量子ビット間雑音相関を明らかにする。 さらに, 単スピン沈降速度の変動は交換雑音と強く相関し, 電気的起源を排除している。
  論文  参考訳（メタデータ） (2022-08-30T11:10:11Z)
• Stabilizing and improving qubit coherence by engineering noise spectrum of two-level systems [52.77024349608834]
  超伝導回路は量子コンピューティングの主要なプラットフォームである。 アモルファス酸化物層内の電荷変動器は、低周波1/f$の電荷ノイズと高周波誘電損失の両方に寄与する。 本稿では,TLS雑音スペクトル密度の工学的手法により,有害な影響を軽減することを提案する。
  論文  参考訳（メタデータ） (2022-06-21T18:37:38Z)
• High-Order Qubit Dephasing at Sweet Spots by Non-Gaussian Fluctuators: Symmetry Breaking and Floquet Protection [55.41644538483948]
  非ガウスゆらぎによるqubit dephasingについて検討した。 非ガウス雑音に特有の対称性破壊効果を予測する。
  論文  参考訳（メタデータ） (2022-06-06T18:02:38Z)
• Learning Noise via Dynamical Decoupling of Entangled Qubits [49.38020717064383]
  絡み合った量子系のノイズは、複数の自由度を含む多体効果のために特徴付けるのが困難である。 2キュービットゲートで発生する雑音を特徴付けるマルチキュービットダイナミックデカップリングシーケンスを開発し,適用する。
  論文  参考訳（メタデータ） (2022-01-26T20:22:38Z)
• Frequency fluctuations of ferromagnetic resonances at milliKelvin temperatures [50.591267188664666]
  ノイズはデバイスの性能、特に量子コヒーレント回路に有害である。 最近の研究は、超伝導量子ビットへの単一のマグノンをベースとした量子技術にマグノンシステムを活用するためのルートを実証している。 時間的挙動を研究することは、基礎となるノイズ源を特定するのに役立つ。
  論文  参考訳（メタデータ） (2021-07-14T08:00:37Z)
• Quantum theory of flicker noise: the 1/f law as a lower bound on the voltage power spectrum [0.0]
  観測変数の異なる時間における非可換性に起因する量子的不確定性は、電圧変動のパワースペクトルに低い境界を設定できることが示されている。 InGaAs量子井戸と高温超伝導体の1/fノイズに関する実験データとの比較を行い、観測されたノイズレベルが確立された限界のわずか数倍であることを示した。
  論文  参考訳（メタデータ） (2020-07-28T21:00:33Z)
• Current Oscillations in Quasi-2D Charge-Density-Wave 1T-TaS2 Devices: Revisiting the "Narrow Band Noise" Concept [58.720142291102135]
  準二次元(2次元)1T-TaS2帯電波デバイスにおける電流振動について報告する。 振動のMHz周波数範囲と電流上の振動の周波数の線形依存性は「狭帯域雑音」に類似している バイアス条件と電流の解析から、観測された発振は、ほぼ共振状態から非共振状態の電荷密度波位相への電圧誘起遷移による電流不安定性と関連していることが示された。
  論文  参考訳（メタデータ） (2020-02-29T22:45:46Z)
• Coherence of a driven electron spin qubit actively decoupled from quasi-static noise [0.4065594766856674]
  半導体量子ドットにおける電子スピン量子ビットのコヒーレンスは主に低周波ノイズに悩まされる。 我々は、誘導進化におけるコヒーレンスが高周波電荷ノイズによって制限される電子スピン量子ビットを実証する。
  論文  参考訳（メタデータ） (2020-01-09T08:43:07Z)

関連論文リストは本サイト内にある論文のタイトル・アブストラクトから自動的に作成しています。

指定された論文の情報です。
本サイトの運営者は本サイト（すべての情報・翻訳含む）の品質を保証せず、本サイト（すべての情報・翻訳含む）を使用して発生したあらゆる結果について一切の責任を負いません。