論文の概要: Monolithic Integration of Single Quantum Emitters in hBN Bullseye
Cavities
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2309.14575v1
- Date: Mon, 25 Sep 2023 23:19:50 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-09-27 15:23:58.372161
- Title: Monolithic Integration of Single Quantum Emitters in hBN Bullseye
Cavities
- Title（参考訳）: hBNブルゼーキャビティにおける単一量子エミッタのモノリシック集積
- Authors: Lesley Spencer (1 and 2), Jake Horder (1), Sejeong Kim (3), Milos Toth
(1 and 2) and Igor Aharonovich (1 and 2) ((1) School of Mathematical and
Physical Sciences University of Technology Sydney, (2) ARC Centre of
Excellence for Transformative Meta-Optical Systems, (3) Department of
Electrical and Electronic Engineering University of Melbourne)
- Abstract要約: この研究はモノリシックな円形ブラッグ格子装置を用いて、六方晶窒化ホウ素中の量子エミッタから放出される436nm波長の単一光子の収集を強化する。
デバイスに結合した単一光子エミッタの集光強度は,非結合エミッタと比較して6倍に増加し,低温下では例外的なスペクトル安定性を示す。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: The ability of hexagonal boron nitride to host quantum emitters in the form
of deep-level color centers makes it an important material for quantum photonic
applications. This work utilizes a monolithic circular Bragg grating device to
enhance the collection of single photons with 436 nm wavelength emitted from
quantum emitters in hexagonal boron nitride. We observe a 6- fold increase in
collected intensity for a single photon emitter coupled to a device compared to
an uncoupled emitter, and show exceptional spectral stability at cryogenic
temperature. The devices were fabricated using a number of etching methods,
beyond standard fluorine-based reactive ion etching, and the quantum emitters
were created using a site-specific electron beam irradiation technique. Our
work demonstrates the potential of monolithically-integrated systems for
deterministically-placed quantum emitters using a variety of fabrication
options.
- Abstract（参考訳）: 六方晶窒化ホウ素が深層色中心の形で量子エミッタをホストする能力は、量子フォトニクスの応用にとって重要な材料である。
この研究はモノリシックな円形ブラッグ格子装置を用いて、六方晶窒化ホウ素中の量子エミッタから放出される436nm波長の単一光子の収集を強化する。
デバイスに結合した単一光子エミッタの集光強度は,非結合エミッタと比較して6倍に増加し,低温下では例外的なスペクトル安定性を示す。
デバイスは、標準的なフッ素ベースの反応性イオンエッチング以外の多くのエッチング方法を用いて製造され、量子エミッタは、サイト固有の電子線照射技術を用いて作成された。
本研究は,様々な生成オプションを用いて決定論的に配置された量子エミッタに対して,モノリシックな統合システムの可能性を示す。
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