論文の概要: Post-fabrication tuning of circular Bragg resonators for enhanced
emitter-cavity coupling
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2309.15801v1
- Date: Wed, 27 Sep 2023 17:21:13 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-09-28 12:31:04.125293
- Title: Post-fabrication tuning of circular Bragg resonators for enhanced
emitter-cavity coupling
- Title(参考訳): エミッタキャビティ結合強化のための円形ブラッグ共振器のポストファブリケーションチューニング
- Authors: Tobias M. Krieger, Christian Weidinger Thomas Oberleitner Gabriel
Undeutsch, Michele B. Rota, Naser Tajik, Maximilian Aigner, Quirin Buchinger,
Christian Schimpf, Ailton J. Garcia Jr., Saimon F. Covre da Silva, Sven
H\"ofling, Tobias Huber-Loyola, Rinaldo Trotta, and Armando Rastelli
- Abstract要約: また, 湿式化学エッチング工程を繰り返すことにより, デバイス製造後にスペクトルミスマッチを補正できることが示唆された。
酸化物上のAlGaAs共振器における光学モードの16nm波長チューニングを実証し、単一の組み込みGaAs量子ドットの放出を4倍に向上させる。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/
- Abstract: Solid-state quantum emitters embedded in circular Bragg resonators are
attractive due to their ability to emit quantum states of light with high
brightness and low multi-photon probability. As for any emitter-microcavity
system, fabrication imperfections limit the spatial and spectral overlap of the
emitter with the cavity mode, thus limiting their coupling strength. Here, we
show that an initial spectral mismatch can be corrected after device
fabrication by repeated wet chemical etching steps. We demonstrate ~16 nm
wavelength tuning for optical modes in AlGaAs resonators on oxide, leading to a
4-fold Purcell enhancement of the emission of single embedded GaAs quantum
dots. Numerical calculations reproduce the observations and suggest that the
achievable performance of the resonator is only marginally affected in the
explored tuning range. We expect the method to be applicable also to circular
Bragg resonators based on other material platforms, thus increasing the device
yield of cavity-enhanced solid-state quantum emitters.
- Abstract(参考訳): 円形ブラッグ共振器に埋め込まれた固体量子エミッタは、高輝度かつ低多重光子確率で量子状態の光を発する能力を持つため、魅力的である。
任意のエミッタ・マイクロキャビティシステムにおいて、製造不完全はエミッタとキャビティモードの空間的およびスペクトル的重なりを制限するため、結合強度が制限される。
本稿では, ウェットケミカルエッチング工程を繰り返すことで, デバイス製造後に初期スペクトルミスマッチを補正できることを示す。
酸化物上のAlGaAs共振器の光モードに対する16nmの波長チューニングを実証し、単一のGaAs量子ドットの放出の4倍のパーセル向上をもたらす。
数値計算は観測結果を再現し、共振器の達成可能な性能が探索されたチューニング範囲にわずかに影響されることを示唆する。
この方法は他の材料プラットフォームに基づく円形ブラッグ共振器にも適用できると予想し、キャビティエンハンス固体量子エミッタのデバイス収率を増加させる。
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