論文の概要: Floquet engineering of binding in doped and photo-doped Mott insulators
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2311.04899v1
- Date: Wed, 8 Nov 2023 18:58:02 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-11-09 14:47:09.322453
- Title: Floquet engineering of binding in doped and photo-doped Mott insulators
- Title（参考訳）: ドープおよびフォトドープモット絶縁体における結合のフロケット工学
- Authors: Madhumita Sarkar, Zala Lenar\v{c}i\v{c}, and Denis Gole\v{z}
- Abstract要約: 化学および光ドープモット絶縁体における境界状態の出現について検討する。
我々はシュリーファー・ヴォルフ変換を用いて、同じ足場上の写真と化学的にドープされた状態を記述する。
我々はフェルミの黄金律に基づく周期運転条件下での光ドープ状態の寿命を概算した。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: We investigate the emergence of bound states in chemically and photo-doped
Mott insulators, assisted by spin and $\eta$-pairing fluctuations within both
2-leg ladder and 2D systems. We demonstrate that the binding energies and
localization length in the chemically and photo-doped regimes are comparable.
To effectively describe the photo and chemically doped state on the same
footings, we employ the Schrieffer-Wolff transformation, resulting in a
generalized $t$-$J$ model. Furthermore, we show that manipulating the binding
is possible through external periodic driving, a technique known as Floquet
engineering, leading to significantly enhanced binding energies. We also
roughly estimate the lifetime of photo-doped states under periodic driving
conditions based on the Fermi golden rule. Lastly, we propose experimental
protocols for realizing Hubbard excitons in cold-atom experiments.
- Abstract（参考訳）: 化学および光ドープモット絶縁体におけるバウンド状態の出現について検討し、スピンおよび2脚ラグおよび2Dシステム内の$\eta$-pairingゆらぎを補助した。
化学系および光ドープ系における結合エネルギーと局在長は同等であることを示す。
同じ足場上での写真と化学的にドープされた状態を効果的に記述するために、シュリーファー・ウォルフ変換を用い、一般化された$t$-$J$モデルが得られる。
さらに,フロッケ工学として知られる技術である外部周期駆動により結合操作が可能であり,結合エネルギーが著しく向上することを示した。
また,フェルミの黄金律に基づく周期運転条件下での光ドープ状態の寿命を概算した。
最後に,寒冷原子実験においてハバード励起子を実現するための実験プロトコルを提案する。
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