論文の概要: Universal Deoxidation of Semiconductor Substrates Assisted by
Machine-Learning and Real-Time-Feedback-Control
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2312.01662v1
- Date: Mon, 4 Dec 2023 06:24:49 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-12-05 16:14:10.573496
- Title: Universal Deoxidation of Semiconductor Substrates Assisted by
Machine-Learning and Real-Time-Feedback-Control
- Title(参考訳): 機械学習とリアルタイムフィードバック制御による半導体基板のユニバーサル脱酸化
- Authors: Chao Shen, Wenkang Zhan, Jian Tang, Zhaofeng Wu, Bo Xu, Chao Zhao, and
Zhanguo Wang
- Abstract要約: 我々は,機械学習(ML)ハイブリッド・コンボリューション・アンド・ビジョン・トランスフォーマー(CNN-ViT)モデルを用いて,基板の脱酸化状態を出力として決定する。
我々は、単一のMBE機器のデータに基づいて訓練されたモデルが、他の機器への高精度な展開を実現する可能性を示す。
この研究で実証された概念と手法は、光エレクトロニクスやマイクロエレクトロニクス産業における半導体製造に革命をもたらすことが期待されている。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 28.807440416977034
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Thin film deposition is an essential step in the semiconductor process.
During preparation or loading, the substrate is exposed to the air unavoidably,
which has motivated studies of the process control to remove the surface oxide
before thin film deposition. Optimizing the deoxidation process in molecular
beam epitaxy (MBE) for a random substrate is a multidimensional challenge and
sometimes controversial. Due to variations in semiconductor materials and
growth processes, the determination of substrate deoxidation temperature is
highly dependent on the grower's expertise; the same substrate may yield
inconsistent results when evaluated by different growers. Here, we employ a
machine learning (ML) hybrid convolution and vision transformer (CNN-ViT)
model. This model utilizes reflection high-energy electron diffraction (RHEED)
video as input to determine the deoxidation status of the substrate as output,
enabling automated substrate deoxidation under a controlled architecture. This
also extends to the successful application of deoxidation processes on other
substrates. Furthermore, we showcase the potential of models trained on data
from a single MBE equipment to achieve high-accuracy deployment on other
equipment. In contrast to traditional methods, our approach holds exceptional
practical value. It standardizes deoxidation temperatures across various
equipment and substrate materials, advancing the standardization research
process in semiconductor preparation, a significant milestone in thin film
growth technology. The concepts and methods demonstrated in this work are
anticipated to revolutionize semiconductor manufacturing in optoelectronics and
microelectronics industries by applying them to diverse material growth
processes.
- Abstract(参考訳): 薄膜堆積は半導体プロセスにおいて必須のステップである。
調製または積み込みの間、基板は好ましくないほど空気に曝され、薄膜の堆積前に表面酸化物を除去するプロセス制御の研究の動機となった。
ランダム基板に対する分子線エピタキシー(MBE)の脱酸化過程の最適化は多次元的課題であり、時には議論の余地がある。
半導体材料や成長プロセスの変化により、基板脱酸化温度の決定は栽培者の専門性に大きく依存しており、同じ基板は異なる栽培者によって評価されると一貫性のない結果が得られる。
ここでは、機械学習(ML)ハイブリッド畳み込みとビジョントランスフォーマー(CNN-ViT)モデルを用いる。
このモデルは、反射高エネルギー電子回折(RHEED)映像を入力として、基板の脱酸化状態を出力として決定し、制御アーキテクチャ下での自動脱酸化を可能にする。
これはまた、他の基質への脱酸化プロセスの成功にまで拡張される。
さらに、1つのMBE機器のデータに基づいて訓練されたモデルが、他の機器への高精度な展開を実現する可能性を示す。
従来の手法とは対照的に、我々のアプローチは極めて実用的な価値を持っている。
様々な機器や基板材料にまたがる脱酸化温度を標準化し、半導体製造における標準化研究プロセスを進め、薄膜成長技術において重要なマイルストーンとなる。
本研究で示された概念と手法は、多種多様な材料成長プロセスに適用することにより、光エレクトロニクスおよびマイクロエレクトロニクス産業における半導体製造に革命をもたらすことが期待されている。
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