論文の概要: Gated InAs quantum dots embedded in surface acoustic wave cavities for low-noise optomechanics

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2312.10215v1
• Date: Fri, 15 Dec 2023 21:26:22 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-12-19 18:03:25.617324
• Title: Gated InAs quantum dots embedded in surface acoustic wave cavities for low-noise optomechanics
• Title（参考訳）: 低雑音光学用表面波空洞に埋め込まれたGated InAs量子ドット
• Authors: Zixuan Wang, Ryan A. DeCrescent, Poolad Imany, Joseph T. Bush, Dileep V. Reddy, Sae Woo Nam, Richard P. Mirin, Kevin L. Silverman
• Abstract要約: 自己集合InAs量子ドット(QD)は、光力学的要素を約束する。 分子線エピタキシーとナノファブリケーションを用いたゲートQDとSAWキャビティを統合した。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 5.588515370245468
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: Self-assembled InAs quantum dots (QDs) are promising optomechanical elements due to their excellent photonic properties and sensitivity to local strain fields. Microwave-frequency modulation of photons scattered from these efficient quantum emitters has been recently demonstrated using surface acoustic wave (SAW) cavities. However, for optimal performance, a gate structure is required to deterministically control the charge state and reduce charge noise of the QDs. Here, we integrate gated QDs and SAW cavities using molecular beam epitaxy and nanofabrication. We demonstrate that with careful design of the substrate layer structure, integration of the two systems can be accomplished while retaining the optimal performance of each subsystem. These results mark a critical step toward efficient and low-noise optomechanical systems for microwave-to-optical quantum transduction.
• Abstract（参考訳）: 自己集合型InAs量子ドット(QD)は、その優れたフォトニック特性と局所ひずみ場に対する感度のために、光学的要素を約束している。 これらの効率的な量子エミッタから散乱した光子のマイクロ波周波数変調は、表面音響波(saw)共振器を用いて最近実証されている。 しかし、最適性能を得るためには、ゲート構造が電荷状態を決定論的に制御し、QDの電荷ノイズを低減する必要がある。 そこで我々は,分子線エピタキシーとナノファブリケーションを用いたゲートQDとSAWキャビティを統合する。 基板層構造を注意深く設計することで,各サブシステムの最適性能を維持しつつ,2つのシステムの統合を実現できることを示す。 これらの結果は、マイクロ波-光量子トランスダクションのための効率的で低ノイズの光学系への重要な一歩である。

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