論文の概要: Physics-based material parameters extraction from perovskite experiments
via Gaussian process
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2402.11101v3
- Date: Sat, 24 Feb 2024 02:53:48 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2024-02-27 23:49:02.858302
- Title: Physics-based material parameters extraction from perovskite experiments
via Gaussian process
- Title(参考訳): ガウス過程によるペロブスカイト実験からの物理材料パラメータ抽出
- Authors: Hualin Zhan, Viqar Ahmad, Azul Mayon, Grace Tabi, Anh Dinh Bui,
Zhuofeng Li, Daniel Walter, Hieu Nguyen, Klaus Weber, Thomas White, Kylie
Catchpole
- Abstract要約: 我々は有機金属ペロブスカイト半導体の8つの基本材料パラメータを過渡発光実験から抽出できる分析プラットフォームを開発した。
熱劣化の例としては、ドーピング濃度とキャリア移動度の変化が支配的であり、欠陥エネルギー準位はほぼ変化していないことが示されている。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 1.412418234653926
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: The ability to extract material parameters of perovskite from quantitative
experimental analysis is essential for rational design of photovoltaic and
optoelectronic applications. However, the difficulty of this analysis increases
significantly with the complexity of the theoretical model and the number of
material parameters for perovskite. Here we use Gaussian process to develop an
analysis platform that can extract up to 8 fundamental material parameters of
an organometallic perovskite semiconductor from a transient photoluminescence
experiment, based on a complex full physics model that includes drift-diffusion
of carriers and dynamic defect occupation. An example study of thermal
degradation reveals that changes in doping concentration and carrier mobility
dominate, while the defect energy level remains nearly unchanged. This platform
can be conveniently applied to other experiments or to combinations of
experiments, accelerating materials discovery and optimization of semiconductor
materials for photovoltaics and other applications.
- Abstract(参考訳): 実験的分析からペロブスカイトの物質パラメータを抽出する能力は、光電気・光電子応用の合理的な設計に不可欠である。
しかし, この解析の難易度は, 理論モデルの複雑さ, ペロブスカイトの材料パラメータ数の増加とともに著しく増大した。
ここでは,有機金属ペロブスカイト半導体の基本材料パラメータを過渡発光実験から最大8つ抽出できる解析プラットフォームを開発するためにガウス過程を用いて,キャリアのドリフト拡散と動的欠陥占有を含む複雑な全物理モデルに基づいて解析を行う。
熱劣化の例としては、ドーピング濃度とキャリア移動度の変化が支配的であり、欠陥エネルギー準位はほぼ変わらないことが示されている。
このプラットフォームは、他の実験や実験の組み合わせ、材料発見の加速、太陽電池などの半導体材料の最適化などに便利に適用することができる。
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