論文の概要: Anomalous magnetic flux via junction twist-angle in a
triplet-superconducting transmon qubit
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2403.07215v1
- Date: Tue, 12 Mar 2024 00:03:44 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2024-03-13 23:24:09.537226
- Title: Anomalous magnetic flux via junction twist-angle in a
triplet-superconducting transmon qubit
- Title（参考訳）: 三重超伝導トランスモン量子ビットにおける接合ねじれ角による異常磁束
- Authors: Sebasti\'an Dom\'inguez-Calder\'on and Harley D. Scammell
- Abstract要約: 低エラー実装には、強い不調和性とオフセット電荷に対する感度の低い超伝導トランスモン量子ビットが望ましい。
本稿では,三重項超伝導体からなるc軸接合を相対的なねじれ角度で設定する。
このアーキテクチャでは、異常なフラックスは接合のツイスト角によって決定され、新しいゼロフィールド機能を提供する。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: Superconducting transmon qubits with strong anharmonicity and insensitivity
to offset charge are highly desirable for low-error implementation. In this
work we propose a c-axis junction, comprising triplet superconductors, and set
at a relative twist angle. Invoking spin-orbit coupling and spin polarization,
which are known to occur in the material platform of choice, we examine the
resulting transmon Hamiltonian. This junction allows for direct control of the
single and double Cooper pair tunneling strength, and most remarkably, an
anomalous magnetic flux -- i.e. a phase offset equivalent to magnetic flux, yet
in zero magnetic field. Having control over these three parameters -- single
and double pair tunneling and anomalous flux -- allows for optimal design of
the transmon qubit. Interestingly, in this architecture, the anomalous flux is
determined by the twist angle of the junction, thereby offering a novel
zero-field functionality. Our key results rely on symmetry arguments, for
concreteness we demonstrate the implementation of our concept using a model of
moir\'e graphene-based c-axis junctions.
- Abstract（参考訳）: 強いアンハーモニック性とオフセット電荷に対する感度の低い超伝導トランスモン量子ビットは、低エラー実装において非常に望ましい。
本研究では,三重項超伝導体からなるc軸接合を提案し,相対ねじれ角度に設定する。
材料プラットフォームにおいて生じるスピン軌道結合とスピン偏極を誘発し, 結果として生じるトランスモンハミルトニアンについて検討する。
このジャンクションは、単対トンネル強度と二重対トンネル強度を直接制御することができ、最も顕著なことに、異常な磁束、すなわち磁気束と同等の位相オフセットをゼロ磁場で制御することができる。これら3つのパラメータ(単対トンネルと二重対磁束)の制御は、トランモン量子ビットの最適設計を可能にする。
興味深いことに、このアーキテクチャでは、異常フラックスは接合のねじれ角によって決定され、新しいゼロフィールド機能を提供する。
我々は, グラフェン系c軸接合のモデルを用いて, 対称性の議論を具体化することにより, 概念の実装を実証する。
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