論文の概要: Stabilizing an individual charge fluctuator in a Si/SiGe quantum dot

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2407.05439v1
• Date: Sun, 7 Jul 2024 17:02:20 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2024-07-09 19:38:04.505852
• Title: Stabilizing an individual charge fluctuator in a Si/SiGe quantum dot
• Title（参考訳）: Si/SiGe量子ドットにおける個々の電荷変動器の安定化
• Authors: Feiyang Ye, Ammar Ellaboudy, John M. Nichol,
• Abstract要約: 電荷ノイズは、シリコンスピン量子ビットにおけるゲート密度の改善の大きな障害である。 我々は、半導体量子ドットにおける電荷ノイズを低減させる新しい手法を、ノイズ源自体を制御することによって示す。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.6632353937719806
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: Charge noise is a major obstacle to improved gate fidelities in silicon spin qubits. Numerous methods exist to mitigate charge noise, including improving device fabrication, dynamical decoupling, and real-time parameter estimation. In this work, we demonstrate a new class of techniques to mitigate charge noise in semiconductor quantum dots by controlling the noise sources themselves. Using two different classical feedback methods, we stabilize an individual charged two-level fluctuator in a Si/SiGe quantum dot. These control methods reduce the low-frequency component of the noise power spectrum by an order of magnitude. These techniques also enable stabilizing the fluctuator in either of its states. In the future, such techniques may enable improved coherence times in quantum-dot spin qubits.
• Abstract（参考訳）: 電荷ノイズは、シリコンスピン量子ビットにおけるゲート密度の改善の大きな障害である。 デバイス製造の改善、動的デカップリング、リアルタイムパラメータ推定など、電荷ノイズを軽減するための多くの方法が存在する。 本研究では,半導体量子ドットにおける電荷ノイズを低減させる新しい手法を,ノイズ源自体を制御することによって実証する。 2つの古典的フィードバック法を用いて、Si/SiGe量子ドット内の個々の電荷の2レベルゆらぎを安定化する。 これらの制御方法は、ノイズパワースペクトルの低周波成分を桁違いに低減する。 これらの技術は、どちらの状態でも揺らぎ器を安定化させることも可能である。 将来的には、量子ドットスピン量子ビットにおけるコヒーレンス時間の改善が期待できる。

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