論文の概要: Quantum Efficiency the B-centre in hexagonal boron nitride
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2408.06001v1
- Date: Mon, 12 Aug 2024 08:49:03 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2024-08-13 14:35:18.933938
- Title: Quantum Efficiency the B-centre in hexagonal boron nitride
- Title(参考訳): 六方晶窒化ホウ素中のB中心の量子効率
- Authors: Karin Yamamura, Nathan Coste, Helen Zhi Jie Zeng, Milos Toth, Mehran Kianinia, Igor Aharonovich,
- Abstract要約: 六方晶窒化ホウ素(hBN)のB中心は、量子フォトニクスへの応用において重要な研究関心を集めている。
ここでは、hBNの層状の性質を利用して、単一のB中心の量子効率(QE)を直接測定する。
その結果, 薄いフレーク中のB中心は40%以上のQEを示すことがわかった。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: B-centres in hexagonal boron nitride (hBN) are gaining significant research interest for quantum photonics applications due to precise emitter positioning and highly reproducible emission wavelengths. Here, we leverage the layered nature of hBN to directly measure the quantum efficiency (QE) of single B-centres. The defects were engineered in a 35 nm flake of hBN using electron beam irradiation, and the local dielectric environment was altered by transferring a 250 nm hBN flake on top of the one containing the emitters. By analysing the resulting change in measured lifetimes, we determined the QE of B-centres in the thin flake of hBN, as well as after the transfer. Our results indicate that B-centres located in thin flakes can exhibit QEs higher than 40%. Near-unity QEs are achievable under reasonable Purcell enhancement for emitters embedded in thick flakes of hBN, highlighting their promise for quantum photonics applications.
- Abstract(参考訳): 六方晶窒化ホウ素(hBN)のB中心は、正確なエミッタ位置決めと高い再現可能な発光波長のため、量子フォトニクスの応用において重要な研究関心を集めている。
ここでは、hBNの層状の性質を利用して、単一のB中心の量子効率(QE)を直接測定する。
欠陥は、電子ビーム照射によりhBNの35nmのフレークで作られ、エミッタを含むフレークの上に250nmhBNのフレークを移すことで局所的な誘電環境が変化した。
測定寿命の変化を解析することにより,hBNの薄いフレーク中のB中心のQEと移動後のQEを決定した。
以上の結果から, 薄いフレーク中のB中心は40%以上のQEを示すことが示唆された。
準ユニティQEは、hBNの厚いフレークに埋め込まれたエミッタのパーセル拡張の下で達成可能であり、量子フォトニクスの応用への期待を強調している。
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