Fugu-MT 論文翻訳(概要): Using a high-fidelity numerical model to infer the shape of a few-hole Ge quantum dot

論文の概要: Using a high-fidelity numerical model to infer the shape of a few-hole Ge quantum dot

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2408.14422v1
Date: Mon, 26 Aug 2024 17:08:40 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2024-08-27 13:12:07.856255
Title: Using a high-fidelity numerical model to infer the shape of a few-hole Ge quantum dot
Title（参考訳）: 高忠実度数値モデルを用いた数ホールGe量子ドットの形状推定
Authors: Mitchell Brickson, N. Tobias Jacobson, Andrew J. Miller, Leon N. Maurer, Tzu-Ming Lu, Dwight R. Luhman, Andrew D. Baczewski,
Abstract要約: 我々は,Ge/SiGeヘテロ構造におけるリソグラフィ量子ドットの有効$g$係数の計算に,分割バンド,SiGe層を取り巻く層,ホールホール相互作用が強い影響を与えることを示す。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
Abstract: The magnetic properties of hole quantum dots in Ge are sensitive to their shape due to the interplay between strong spin-orbit coupling and confinement. We show that the split-off band, surrounding SiGe layers, and hole-hole interactions have a strong influence on calculations of the effective $g$ factor of a lithographic quantum dot in a Ge/SiGe heterostructure. Comparing predictions from a model including these effects to raw magnetospectroscopy data, we apply maximum-likelihood estimation to infer the shape of a quantum dot with up to four holes. We expect that methods like this will be useful in assessing qubit-to-qubit variability critical to further scaling quantum computing technologies based on spins in semiconductors.
Abstract（参考訳）: Geの孔量子ドットの磁気的性質は、強いスピン軌道結合と閉じ込めの間の相互作用により、その形状に敏感である。我々は,Ge/SiGeヘテロ構造におけるリソグラフィ量子ドットの有効$g$係数の計算に,分割バンド,SiGe層を取り巻く層,ホールホール相互作用が強い影響を与えることを示す。これらの効果を含むモデルから生磁気分光データとの比較を行い,最大4つの穴を持つ量子ドットの形状を推定するために最大形状推定を適用した。このような手法は、半導体のスピンに基づく量子コンピューティング技術のさらなるスケーリングに欠かせない量子ビット対量子ビットの変動を評価するのに有用であると考えています。

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