論文の概要: Charge state transition of spectrally stabilized tin-vacancy centers in diamond
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2412.07087v1
- Date: Tue, 10 Dec 2024 01:08:20 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2024-12-11 14:36:38.001584
- Title: Charge state transition of spectrally stabilized tin-vacancy centers in diamond
- Title（参考訳）: ダイヤモンド中のスペクトル安定化スズ空孔中心の電荷状態遷移
- Authors: Keita Ikeda, Yiyang Chen, Peng Wang, Yoshiyuki Miyamoto, Takashi Taniguchi, Shinobu Onoda, Mutsuko Hatano, Takayuki Iwasaki,
- Abstract要約: ダイヤモンド中のスズ空孔(SnV)中心のスペクトル安定性と電荷状態遷移について検討した。
この不安定性は電荷状態からダーク状態への遷移によって生じる。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 4.591710988381086
- License:
- Abstract: Solid-state quantum emitters are an important platform for quantum information processing. The fabrication of the emitters with stable photon frequency and narrow linewidth is a fundamental issue, and it is essential to understand optical conditions under which the emitter keeps a bright charge state or transitions to a dark state. For these purposes, in this study, we investigate the spectral stability and charge state transition of tin-vacancy (SnV) centers in diamond. The photoluminescence excitation spectra of multiple SnV centers are basically stable over time with nearly transform-limited linewidths under resonant excitation, while simultaneous irradiation of resonant and non-resonant lasers makes spectra from the SnV centers unstable. We find that the instability occurs due to the charge state transition to a dark state. The charge state transition rates are quantitatively investigated depending on the laser powers. Lastly, with first-principle calculations, we model the charge state transition of the SnV center under the laser irradiation.
- Abstract（参考訳）: 固体量子エミッタは、量子情報処理の重要なプラットフォームである。
安定した光子周波数と狭い直線幅を持つエミッタの製造は基本的な問題であり、エミッタが明るい電荷状態を保持したり暗黒状態に遷移する光学的条件を理解することが不可欠である。
そこで本研究では,ダイヤモンド中のスズ空孔 (SnV) 中心のスペクトル安定性と電荷状態遷移について検討した。
複数のSnV中心の発光励起スペクトルは基本的に時間とともに安定であり、共振励起下ではほとんど変化のない線幅を持つが、共鳴レーザと非共鳴レーザーの同時照射はSnV中心からのスペクトルを不安定にする。
この不安定性は電荷状態からダーク状態への遷移によって生じる。
電荷状態遷移速度はレーザーパワーによって定量的に測定される。
最後に、第一原理計算により、レーザ照射下でのSnV中心の電荷状態遷移をモデル化する。
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