論文の概要: Tunable direct bandgap and optical response in \ch{Mo_{1-x}W_xS2} monolayer alloys: A first-principles investigation
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2506.01464v1
- Date: Mon, 02 Jun 2025 09:20:39 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2025-06-04 21:47:34.120581
- Title: Tunable direct bandgap and optical response in \ch{Mo_{1-x}W_xS2} monolayer alloys: A first-principles investigation
- Title(参考訳): \ch{Mo_{1-x}W_xS2}単層合金の波長可変直接バンドギャップと光応答 : 第一原理法による研究
- Authors: Kevin Ndang Amassa, Jean-Pierre Tchapet Njafa, Anne Justine Etindele, Chetty Nithaya, Serge Guy Nana Engo,
- Abstract要約: 本研究では, 単層chMo_1-xW_xS2合金の構造, 電子的および光学的性質について検討した。
これらの合金は熱力学的に安定であり, 特性2H結晶構造を維持している。
以上の結果から,単層型chMo_1-x W_xS2を電子的汎用プラットフォームとして評価した。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.3495246564946556
- License: http://creativecommons.org/publicdomain/zero/1.0/
- Abstract: This study presents a comprehensive first-principles investigation of the structural, electronic and optical properties of monolayer \ch{Mo_{1-x}W_xS2} alloys, systematically exploring the full compositional range ($x=0$ to $1$) using density functional theory (DFT). We establish that these alloys are thermodynamically stable and maintain the characteristic 2H crystal structure with minimal structural perturbation upon alloying. A key finding is the preservation of a direct bandgap at the $K$-point across all compositions. This gap exhibits continuous tunability, increasing near-monotonically from \SI{1.696}{\electronvolt} (\ch{MoS2}) to \SI{1.858}{\electronvolt} (\ch{WS2}), a critical feature for tailoring optoelectronic devices. Electronic structure analysis reveals the systematic evolution of the orbital contributions of transition metal $d$ and sulfur $p$ at the edges of the band with composition. Consequently, the optical spectra, evaluated up to \SI{8}{\electronvolt}, show a progressive blueshift in the main features of the interband transition with increasing \ch{W} content, accompanied by predictable changes in key optical constants. Our comprehensive results validate the monolayer \ch{Mo_{1-x} W_xS2} as an electronically versatile platform that offers fine control over electronic and optical properties via alloying, making these tunable direct-gap semiconductors highly promising for next-generation photodetectors, light emitters, and potentially flexible optoelectronic applications exploiting their 2D nature.
- Abstract(参考訳): 本研究は, 密度汎関数理論 (DFT) を用いて全組成範囲 (x=0$〜1ドル) を体系的に探索し, 単層系合金の構造, 電子的, 光学的特性について包括的に検討した。
これらの合金は熱力学的に安定であり, 合金化に伴う構造摂動を最小限に抑えた特性2H結晶構造を維持している。
重要な発見は、すべての作曲のK$ポイントでの直接バンドギャップの保存である。
このギャップは連続的なチューニング性を示し、光電子デバイスを調整するための重要な特徴である \SI{1.696}{\electronvolt} (\ch{MoS2}) から \SI{1.858}{\electronvolt} (\ch{WS2}) へとほぼ単調に増大する。
電子構造解析により、遷移金属$d$と硫黄$p$の軌道寄与の組織的進化がバンドの端と組成で明らかとなった。
その結果、SI{8}{\electronvolt} まで評価された光学スペクトルは、キー光学定数の予測可能な変化とともに、ch{W} 含有量の増加とともに、バンド間遷移の主な特徴の進行的なブルーシフトを示す。
本研究の総合的な結果から, 単層膜 \ch{Mo_{1-x} W_xS2} はアロイングによる電子的および光学的特性の精密制御が可能な電子的汎用プラットフォームとして評価され, 次世代光検出器, 発光素子, および2D特性を利用したフレキシブルな光電子応用を期待できる直ギャップ半導体となった。
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