論文の概要: An InAsSb surface quantum well with in-situ deposited Nb as a platform for semiconductor-superconductor hybrid devices
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2510.00711v1
- Date: Wed, 01 Oct 2025 09:42:21 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2025-10-03 16:59:20.498024
- Title: An InAsSb surface quantum well with in-situ deposited Nb as a platform for semiconductor-superconductor hybrid devices
- Title（参考訳）: 半導体-超伝導ハイブリッドデバイス用プラットフォームとしてその場堆積Nbを用いたInAsSb表面量子井戸
- Authors: Sjoerd Telkamp, Zijin Lei, Tommaso Antonelli, Christian Reichl, Ilya Besedin, Georg Jakobs, Stefan Fält, Christian Marty, Rüdiger Schott, Werner Wegscheider,
- Abstract要約: 分子線エピタキシャル成長したInAsSb表面量子井戸と、その場で堆積したNbトップ層を用いた新しい半導体-超伝導ハイブリッド材料を提案する。
Nbのその場堆積は、InAsSb量子井戸との強い結合を可能にする高品質な界面をもたらす。
大きな誘導超伝導ギャップと強いスピン軌道相互作用が組み合わさって、この物質はゲート可変超伝導とトポロジカル超伝導デバイスを探索するための魅力的なプラットフォームとなっている。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: We present a novel semiconductor-superconductor hybrid material based on a molecular beam epitaxially grown InAsSb surface quantum well with an in-situ deposited Nb top layer. Relative to conventional Al-InAs based systems, the InAsSb surface quantum well offers a lower effective mass and stronger spin-orbit interaction, while the Nb layer has a higher critical temperature and a larger critical magnetic field. The in-situ deposition of the Nb results in a high-quality interface that enables strong coupling to the InAsSb quantum well. Transport measurements on Josephson junctions reveal an induced superconducting gap of 1.3 meV. Furthermore, a planar asymmetric SQUID is realized, exhibiting gate-tunable superimposed oscillations originating from both the individual Josephson junction and the full SQUID loop. The large induced superconducting gap combined with strong spin-orbit interaction position this material as an attractive platform for experiments exploring gate-tunable superconductivity and topological superconducting devices.
- Abstract（参考訳）: 分子線エピタキシャル成長したInAsSb表面量子井戸と、その場で堆積したNbトップ層を用いた新しい半導体-超伝導ハイブリッド材料を提案する。
従来のAl-InAs系とは対照的に、InAsSb表面量子井戸はより低い有効質量とより強いスピン軌道相互作用を提供し、Nb層はより高い臨界温度とより大きな臨界磁場を持つ。
Nbのその場堆積は、InAsSb量子井戸との強い結合を可能にする高品質な界面をもたらす。
ジョセフソン接合部の輸送測定により、誘導された超伝導ギャップは1.3 meVである。
さらに、個々のジョセフソン接合とフルSQUIDループの両方から生じるゲート可変重畳発振を示す平面非対称SQUIDを実現する。
大きな誘導超伝導ギャップと強いスピン軌道相互作用が組み合わさって、この物質はゲート可変超伝導とトポロジカル超伝導デバイスを探索するための魅力的なプラットフォームとなっている。
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