論文の概要: Probing Antiferromagnetic Hysteresis on Programmable Quantum Annealers

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2511.17779v1
• Date: Fri, 21 Nov 2025 20:50:43 GMT
• ステータス: 翻訳完了
• システム内更新日: 2025-11-25 18:34:24.418907
• Title: Probing Antiferromagnetic Hysteresis on Programmable Quantum Annealers
• Title（参考訳）: プログラム可能な量子アニールにおける反強磁性ヒステリシスの探索
• Authors: Elijah Pelofske, Pratik Sathe, Cristiano Nisoli, Frank Barrows,
• Abstract要約: 反強磁性体の磁気メモリの反直観的概念を探索するために,サンプリングベース磁気プロトコルを実装した。 このプロトコルのキーコンポーネントは横方向のフィールドであり、これは状態遷移を可能にし、磁場スイープは縦方向の制御フィールドを介して行われる。 我々は、曲線の完全な飽和と逆転の証拠と、量子ゆらぎを介する創発的磁気領域を示す。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 3.219880761967806
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: Using programmable analog quantum annealing processors, we implement a sampling-based magnetic hysteresis protocol to probe the counterintuitive notion of magnetic memory of antiferromagnets. A key component of this protocol responsible for the hysteresis is a transverse field, which enables state transitions, while the magnetic field sweep is done via a longitudinal control field. We present evidence of full saturation and reversal of the hysteresis curve, as well as emergent magnetic domain mediated by quantum fluctuations that give rise to the magnetic memory effect in antiferromagnets.
• Abstract（参考訳）: プログラム可能なアナログ量子アニールプロセッサを用いてサンプリングベースの磁気ヒステリシスプロトコルを実装し、反強磁性体の磁気メモリの反直観的概念を探索する。 ヒステリシスに責任を負うこのプロトコルのキーコンポーネントは横方向のフィールドであり、これは状態遷移を可能にし、磁場スイープは縦方向の制御フィールドを介して行われる。 反強磁性体における磁気記憶効果を引き起こす量子ゆらぎを介し、ヒステリシス曲線の完全な飽和と反転の証拠を示す。

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