論文の概要: Large Isolated Stripes on Short 18-leg $t$-$J$ Cylinders
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2512.15714v1
- Date: Wed, 17 Dec 2025 18:59:56 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2025-12-18 17:06:27.123046
- Title: Large Isolated Stripes on Short 18-leg $t$-$J$ Cylinders
- Title（参考訳）: 短い18レグ$t$-$J$シリンダ上の大きな分離済みStripe
- Authors: Tizian Blatz, Sebastian Paeckel, Ulrich Schollwöck, Fabian Grusdt, Annabelle Bohrdt,
- Abstract要約: スピンチャージストライプは高温超伝導体における超伝導以外の最も顕著な低温秩序に属する。
長い孤立ストライプの形成を研究することにより、典型的な有限ドーピング位相図に相補的な視点を提供する。
単純化された圧縮空間モデルで捉えた高充填状態と、個々のドーパントの構造を特徴とする低充填状態の2つの異なる状態を明らかにする。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Spin-charge stripes belong to the most prominent low-temperature orders besides superconductivity in high-temperature superconductors. This phase is particularly challenging to study numerically due to finite-size effects. By investigating the formation of long, isolated stripes, we offer a perspective complementary to typical finite-doping phase diagrams. We use the density-matrix renormalization group algorithm to extract the ground states of an 18-leg cylindrical strip geometry, making the diameter significantly wider than in previous works. This approach allows us to map out the range of possible stripe filling fractions on the electron versus hole-doped side. We find good agreement with established results, suggesting that the spread of filling fractions observed in the literature is governed by the physics of a single stripe. Taking a microscopic look at stripe formation, we reveal two separate regimes - a high-filling regime captured by a simplified squeezed-space model and a low-filling regime characterized by the structure of individual pairs of dopants. Thereby, we trace back the phenomenology of the striped phase to its microscopic constituents and highlight the different challenges for observing the two regimes in quantum simulation experiments.
- Abstract（参考訳）: スピンチャージストライプは高温超伝導体における超伝導以外の最も顕著な低温秩序に属する。
この位相は有限サイズ効果により数値的に研究することが特に困難である。
長い孤立ストライプの形成を研究することにより、典型的な有限ドーピング位相図に相補的な視点を提供する。
密度行列再正規化アルゴリズムを用いて18脚の円筒状ストリップ形状の基底状態を抽出し,その直径を従来よりもはるかに広くする。
このアプローチにより、電子対ホールドープ側におけるストライプ充填率の範囲をマッピングできる。
文献で観察された分画の広がりは、単一のストライプの物理によって制御されていることを示唆する。
ストライプ形成の微視的観察から, 単純化された圧縮空間モデルで捉えた高充填状態と, 個々のドーパントの構造を特徴とする低充填状態の2つの異なる状態が明らかになった。
そこで我々は, ストライプ相の現象をその微細な構成成分に遡り, 量子シミュレーション実験における2つの状態の観察における様々な課題を浮き彫りにした。
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