論文の概要: Quantum Noise Spectroscopy of Nanoscale Charge Defects in Silicon Carbide at Room Temperature
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2512.22521v1
- Date: Sat, 27 Dec 2025 08:40:12 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2025-12-30 22:37:30.094899
- Title: Quantum Noise Spectroscopy of Nanoscale Charge Defects in Silicon Carbide at Room Temperature
- Title(参考訳): 炭化ケイ素中のナノスケール電荷欠陥の室温における量子ノイズ分光
- Authors: Jinpeng Liu, Yuanhong Teng, Yu Chen, Yixuan Wang, Chihang Luo, Jun Yin, Hao Li, Lixing You, Ya Wang, Qi Zhang, Fazhan Shi,
- Abstract要約: 室温での商用半導体における単電荷トンネル力学の最初の実時間ナノスケール観察を報告する。
我々は、MHz-GHzノイズを探索し、T1緩和分光法によりその起源を同定し、SiCの電荷欠陥の初めてのナノスケール電子常磁性共鳴(EPR)分光指紋を得る。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 18.992436447163225
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: The nanoscale charge environment critically influences semiconductor physics and device performance. While conventional bulk characterization techniques provide volume-averaged defect properties, they lack the spatial resolution to resolve nanoscale charge heterogeneity and identify microscopic noise sources. Here, we utilize single PL5 centers in 4H-SiC as room-temperature broadband quantum sensors to fill in the gap. We report the first real-time, nanoscale observation of singlecharge tunneling dynamics in a commercial semiconductor at room temperature, by monitoring the random telegraph noise using optically detected magnetic resonance (ODMR). This capability enables an electrical noise imaging technique, showing distinct noise variations across different wafer substrates. By employing dynamical decoupling, we extend noise spectroscopy from near-DC to MHz frequencies, uncovering significant noise spectral density correlations across frequency bands. Finally, we probe MHz-GHz noise and identify its origin via T1 relaxation spectroscopy, obtaining the first nanoscale electron paramagnetic resonance (EPR) spectroscopic fingerprint of charge defects in SiC. These techniques open avenues for characterizing noise environments in semiconductor devices, providing critical insights for optimizing SiC fabrication processes, defect control, and advancing quantum technologies.
- Abstract(参考訳): ナノスケールの電荷環境は、半導体物理学とデバイス性能に重大な影響を及ぼす。
従来のバルクキャラクタリゼーション技術は、体積平均欠陥特性を提供するが、ナノスケールの電荷の不均一性を解消し、微視的なノイズ源を特定するための空間分解能は欠如している。
ここでは,4H-SiCの単一PL5センターを室温広帯域量子センサとして利用し,そのギャップを埋める。
光検出磁気共鳴(ODMR)を用いたランダムな電信ノイズのモニタリングにより、室温での商用半導体における単電荷トンネル力学の最初のリアルタイムナノスケール観察を報告する。
この機能は、異なるウエハ基板間で異なるノイズ変化を示す電気ノイズイメージング技術を可能にする。
ダイナミックデカップリングを用いることで、近DCからMHzの周波数まで雑音スペクトルを拡張し、周波数帯域間の有意な雑音スペクトル密度相関を明らかにする。
最後に、MHz-GHzノイズを探索し、T1緩和分光法によりその起源を同定し、SiCの電荷欠陥の初めてのナノスケール電子常磁性共鳴(EPR)分光指紋を得る。
これらの技術は半導体デバイスのノイズ環境を特徴付けるための道を開き、SiC製造プロセスの最適化、欠陥制御、量子技術の進歩に重要な洞察を与える。
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