論文の概要: Floquet-driven tunneling control in monolayer MoS$_2$

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2601.04837v1
• Date: Thu, 08 Jan 2026 11:18:21 GMT
• ステータス: 翻訳完了
• システム内更新日: 2026-01-09 17:01:53.178304
• Title: Floquet-driven tunneling control in monolayer MoS$_2$
• Title（参考訳）: 単層MoS$_2$におけるフロケット駆動トンネル制御
• Authors: Rachid El Aitouni, Aotmane En Naciri, Clarence Cortes, David Laroze, Ahmed Jellal,
• Abstract要約: モリブデンジスルフィドMoS$のフェルミオンとレーザー場と静電位バリアとの相互作用について検討した。 その結果、伝達確率はスピンアップ電子とスピンダウン電子の両方に対して振動することがわかった。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: We study how fermions in molybdenum disulfide MoS$_2$ interact with a laser field and a static potential barrier, focusing on the transmission probability. Our aim is to understand and control photon-assisted quantum transport in this two-dimensional material under external driving. We use the Floquet approximation to describe the wave functions in the three regions of the system. By applying continuity conditions at the boundaries, we obtain a set of equations involving an infinite number of Floquet modes. We explicitly determine transmissions involving the central band $E$ and the first sidebands $E \pm \hbarω$. As for higher-order bands, we use the transfer matrix approach together with current density to compute the associated transmissions. Our results reveal that the transmission probability oscillates for both spin-up and spin-down electrons. The oscillations of spin-down electrons occur over nearly twice the period of spin-up electrons. Among all bands, the central one consistently shows the highest transmission. We also find that stronger laser fields and wider barriers both lead to reduced transmission. Moreover, laser irradiation enables controllable channeling and filtering of transmission bands by tuning the laser intensity and system parameters. This highlights the potential of laser-driven MoS$_2$ structures for highly sensitive electromagnetic sensors and advanced optoelectronic devices.
• Abstract（参考訳）: ジスルフィドモリブデンMoS$2$のフェルミオンがレーザー磁場と静電位障壁とどのように相互作用するかを,伝送確率に着目して検討した。 我々の目的は、外部駆動下でのこの2次元材料における光子支援量子輸送の理解と制御である。 システムの3つの領域における波動関数を記述するために,Floquet近似を用いる。 境界における連続性条件を適用することにより、無限個のフロケモードを含む方程式の集合を得る。 中心バンド$E$と第1サイドバンド$E \pm \hbarω$を含む伝送を明示的に決定する。 高次帯域については、伝達行列と電流密度を併用して関連する伝送を計算する。 以上の結果から, スピンアップ電子とスピンダウン電子の両方に対して, 伝送確率が振動することが判明した。 スピンダウン電子の振動はスピンアップ電子の2倍以上の周期で起こる。 すべてのバンドの中で、中央のバンドは、常に最も高い伝送を示す。 また、より強いレーザー磁場とより広い障壁はどちらも透過を減少させる。 さらに、レーザ照射により、レーザ強度とシステムパラメータを調整することにより、伝送帯域の制御可能なチャネル化およびフィルタリングが可能となる。 これは、高感度電磁センサと高度な光電子デバイスのためのレーザー駆動型MoS$2$構造の可能性を強調している。

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