論文の概要: Quantum transport in gapped graphene under strain and laser--electrostatic barriers
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2604.19297v1
- Date: Tue, 21 Apr 2026 10:04:29 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2026-04-22 22:41:49.713903
- Title: Quantum transport in gapped graphene under strain and laser--electrostatic barriers
- Title(参考訳): ひずみおよびレーザー帯電障壁下におけるギャップ状グラフェンの量子輸送
- Authors: Hasna Chnafa, Clarence Cortes, David Laroze, Ahmed Jellal,
- Abstract要約: レーザー変調バリア下での電子輸送は、エネルギーギャップ、スカラー電位、一軸ジグザグひずみの存在下で研究される。
これらの知見は、光電子デバイスにおける外部磁場、ひずみ、潜在的な応用を通じて、ギャップ付きグラフェンの電子輸送を制御する新しい視点を提供する。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: Electron transport in graphene under a laser-modulated barrier is studied in the presence of an energy gap, a scalar potential, and a uniaxial zigzag strain. The transfer-matrix approach is used with the boundary conditions to derive the transmission probabilities as functions of different system parameters. Without strain, raising either the energy gap or the potential generally reduces transmission in the central and lower sidebands. Moderate zigzag strain generates pronounced Fano-type oscillations that vanish at large strain, while transmission increases for low potential and decreases for high values. In the upper sideband, the incidence energy shifts the resonance peaks to the right, and growing the barrier width generates characteristic oscillatory patterns. Furthermore, increasing the laser field amplitude enhances transmission, whereas higher laser frequencies tend to suppress it. These findings offer new perspectives on controlling electronic transport in gapped graphene via external fields, strain, and potential applications in optoelectronic devices.
- Abstract(参考訳): レーザー変調バリア下でのグラフェン中の電子輸送は、エネルギーギャップ、スカラー電位、一軸ジグザグひずみの存在下で研究される。
転送行列法は境界条件を用いて異なるシステムパラメータの関数として伝達確率を導出する。
ひずみがなければ、エネルギーギャップを上昇させるか電位を上昇させるかは、一般的に中央と下部のサイドバンドの伝達を減少させる。
適度なジグザグひずみは、大きなひずみで消失するファノ型振動を顕著に生成する一方、低い電位では伝達が増加し、高い値では減少する。
上側バンドでは、入射エネルギーが共鳴ピークを右にシフトし、バリア幅が大きくなると特徴的な振動パターンが生じる。
さらに、レーザー磁場振幅の増大は透過性を高めるが、高いレーザー周波数はそれを抑制する傾向にある。
これらの知見は、光電子デバイスにおける外部磁場、ひずみ、潜在的な応用を通じて、ギャップ付きグラフェンの電子輸送を制御する新しい視点を提供する。
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