論文の概要: Optical detection of the electron spin resonances of G centers in silicon
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2605.12473v1
- Date: Tue, 12 May 2026 17:54:06 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2026-05-13 21:48:57.071741
- Title: Optical detection of the electron spin resonances of G centers in silicon
- Title(参考訳): シリコン中のG中心の電子スピン共鳴の光学的検出
- Authors: Félix Cache, Krithika V. R., Tobias Herzig, Andrej Yu Kuznetsov, Sébastien Pezzagna, Marco Abbarchi, Isabelle Robert-Philip, Jean-Michel Gérard, Guillaume Cassabois, Vincent Jacques, Anaïs Dréau,
- Abstract要約: 上バンドギャップ励起下でのG中心のアンサンブルのスピン特性について検討した。
欠陥のコヒーレントスピン制御を実証し,そのスピンコヒーレンス特性を特徴付ける。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
- Abstract: Color centers in silicon are emerging as promising platforms for quantum technologies. Among them, the G center has attracted considerable interest owing to its bright telecom O-band single-photon emission and its optically addressable metastable electron-spin triplet state. Here we investigate the spin properties of ensembles of G centers under above-band-gap excitation. We elucidate the spin photo-dynamics giving rise to the optical detected magnetic resonance (ODMR) response of G centers. The optimal pulsed sequence for measuring the ODMR spectrum of the G defects is identified, along with the temperature and optical-power regimes maximizing the spin readout contrast. Through magneto-optical measurements, we detect a level-anticrossing of the G center electron spin states. At last, we demonstrate coherent spin control of the defects, and characterize their spin-coherence properties. Unveiling the spin degree of freedom of the G center opens new avenues for the realization of quantum memories and quantum registers based on silicon color centers.
- Abstract(参考訳): シリコンのカラーセンターは、量子技術の有望なプラットフォームとして浮上している。
中でもG中心は、明るいテレコムのOバンド単一光子放出と、光学的に対応可能な準安定電子スピン三重項状態のため、かなりの関心を集めている。
ここでは、上バンドギャップ励起下でのG中心のアンサンブルのスピン特性について検討する。
我々は、G中心の光検出磁気共鳴(ODMR)応答を引き起こすスピン光力学を解明した。
G欠陥のODMRスペクトルを測定するための最適なパルスシーケンスを、スピン読み出しコントラストを最大化する温度および光パワー条件とともに同定する。
磁気光学測定により、G中心電子状態の準交差を検出する。
最後に、欠陥のコヒーレントスピン制御を示し、それらのスピンコヒーレンス特性を特徴づける。
G中心の自由度を解放することで、シリコン色中心に基づく量子記憶と量子レジスタの実現に向けた新たな道が開かれる。
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