論文の概要: Photon-energy-programmable subnanometric electron birth-site control
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2605.28286v1
- Date: Wed, 27 May 2026 10:33:06 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2026-05-28 17:38:55.978005
- Title: Photon-energy-programmable subnanometric electron birth-site control
- Title（参考訳）: フォトンエネルギーでプログラム可能なサブナノメータ電子発生部位制御
- Authors: Hirofumi Yanagisawa, Abhisek Sinha, Ravi Kumar, Neill Lambert, Hirotaka Kitoh-Nishioka,
- Abstract要約: 既存のアプローチは、ナノ構造を取り巻く局所光学場を形成することにより、ナノスケールのサイト選択性を実現する。
ここでは、単一分子電子エミッタを用いて、電子励起経路でサイト選択性を符号化できることを示す。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 6.1116295786079995
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: Optical control of electron-generation sites has broadly enabled ultrafast nanoscale imaging, spectroscopy, and functional control. Existing approaches achieve nanoscale site selectivity by shaping localised optical fields around nanostructures, thereby limiting independent site selectivity within the same local-field hotspot. Here, using a single-molecule electron emitter, we show that site selectivity can instead be encoded in the electronic excitation pathway, enabling subnanometric control of electron birth sites within the same local-field hotspot. By tuning the photon energy, we selectively access molecular states of different spatial symmetry and reversibly switch the electron birth site between distinct locations in the same emitter, with the change read out directly in the far-field emission pattern. The switching depends on photon energy alone and is absent under variations in intensity or polarisation. Our results establish optical birth-site selectivity that is not dictated by the local-field distribution, opening a route to electron birth-site control through the electronic excitation pathway.
- Abstract（参考訳）: 電子生成部位の光学制御は、超高速ナノスケールイメージング、分光、機能制御を可能にしている。
既存のアプローチでは、ナノ構造の周囲の局所的な光学場を形成することにより、同じ局所的なホットスポット内の独立したサイト選択性を制限することで、ナノスケールのサイト選択性を実現する。
ここでは, 単一分子電子放出器を用いて, サイト選択性を電子励起経路に符号化し, 同じ局所ホットスポット内での電子発生部位の分位制御を可能にすることを示す。
光子エネルギーを調整することにより、異なる空間対称性の分子状態に選択的にアクセスし、電子発生部位を同じエミッタ内の異なる位置間で可逆的に切り替える。
スイッチングは光子エネルギーのみに依存しており、強度や偏光の変動の下では欠落している。
本研究は, 局所電界分布によって規定されない光発生部位選択性を確立し, 電子励起経路を通した電子発生部位制御への道を開くものである。
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