論文の概要: Electron shuttling as a probe for charge defects

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2607.21718v1
• Date: Thu, 23 Jul 2026 18:02:20 GMT
• ステータス: 翻訳完了
• システム内更新日: 2026-07-27 20:58:56.966366
• Title: Electron shuttling as a probe for charge defects
• Title（参考訳）: 電荷欠陥のプローブとしての電子シャットリング
• Authors: Hamza Jnane, Tamas Daniel Lipovics, Guido Burkard,
• Abstract要約: 電子のシャットリングは、単一の移動スピンを個々の欠陥の走査プローブに変える。 我々のプロトコルは、追加のハードウェアを必要とせず、大型シリコンデバイスの電荷欠陥ランドスケープをマッピングするための実用的な経路を提供する。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: Silicon spin qubits are a leading platform for scalable quantum computing, but their performance is limited by charge noise, widely attributed to two-level fluctuators (TLFs). The location of individual TLFs is generally unknown, and existing methods to localise them does not scale favourably with device size. Here, we show that electron shuttling turns a single mobile spin into a scanning probe of individual defects. We show that by shuttling a spin over a range of distances and tracking its coherence loss, one can localise defects along the channel and constrain their switching rate and fluctuation amplitude. Because one shuttled electron sweeps an extended region, the approach scales more favourably than previous methods. Our protocol requires no additional hardware and provides a practical route to mapping the charge-defect landscape of large silicon devices, enabling defect-aware calibration and avoidance in shuttling-based architectures.
• Abstract（参考訳）: シリコンスピン量子ビットはスケーラブルな量子コンピューティングのための主要なプラットフォームであるが、その性能は2レベルゆらぎ器(TLF)による電荷ノイズによって制限されている。 個々のTLFの位置は一般に不明であり、それらをローカライズする既存の手法はデバイスサイズに適さない。 ここでは、電子のシャットリングが単一の移動スピンを個々の欠陥の走査プローブに変えることを示す。 一定距離にわたってスピンをシャットダウンし、そのコヒーレンス損失を追跡することにより、チャネルに沿って欠陥をローカライズし、スイッチング速度と変動振幅を制限できることが示される。 1つのシャトル電子が拡張された領域を掃引するため、アプローチは以前の方法よりも好意的にスケールする。 当社のプロトコルでは,ハードウェアの追加を必要とせず,大型シリコンデバイスの充電欠陥状況をマッピングする実用的な方法を提供し,シャットリングアーキテクチャにおける欠陥認識キャリブレーションと回避を可能にする。

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