論文の概要: Long-lived memory effects in the defect bath of superconducting qubits
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2608.10087v1
- Date: Mon, 10 Aug 2026 18:01:15 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2026-08-12 19:14:45.773443
- Title: Long-lived memory effects in the defect bath of superconducting qubits
- Title（参考訳）: 超伝導量子ビットの欠陥浴における長期記憶効果
- Abstract要約: 量子ビットに結合した2レベル系欠陥の電場チューニングにより,超伝導トランスモン量子ビットの欠陥浴における長期記憶効果を明らかにする。
我々はTLS環境におけるいくつかのヒステリックな影響を数秒の記憶で観察し、個々のTLS欠陥の寿命をはるかに超えている。
この情報は、量子ビット安定化と量子誤り訂正プロトコルを改善するために用いられる。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.35735101426913934
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: We reveal long-lived memory effects in the defect bath of a superconducting transmon qubit through electric-field tuning of two-level system (TLS) defects coupled to the qubit. Using a fast TLS mapping method we observe several hysteretic effects in the TLS environment with memory timescales of the order of seconds, far beyond the lifetimes of individual TLS defects. The observations can be explained by TLS coupling to electric field-polarised charge fluctuators in the defect bath. Our method enables detailed mapping of the dynamics of the bath's coupled microscopic degrees of freedom and the associated memory effects which can introduce temporally correlated noise. This information may be used to improve qubit-stabilisation and quantum error correction protocols.
- Abstract（参考訳）: 超伝導トランスモン量子ビットの欠陥浴における長期記憶効果は、2レベルシステム(TLS)欠陥を量子ビットに結合した電場チューニングにより明らかにする。
高速TLSマッピング法を用いて、TLS環境における複数のヒステリック効果を、個々のTLS欠陥の寿命をはるかに超える数秒のメモリタイムスケールで観察する。
この観測は、欠陥浴中における電界偏極電荷ゆらぎ器とのTLS結合によって説明できる。
本手法は, 浴槽の結合した顕微鏡的自由度と時間的相関雑音を生じさせる関連記憶効果のダイナミックスを詳細にマッピングすることを可能にする。
この情報は、量子ビット安定化と量子誤り訂正プロトコルを改善するために用いられる。
関連論文リスト
- Adaptive Spectroscopy of Fast Two-Level-System Dynamics in Superconducting Qubits [0.23977562853295534]
寄生性2レベル系(TLS)欠陥は超伝導量子プロセッサにおけるエネルギー緩和と時間不安定の主要な原因である。
我々のサブ秒適応分光法は,数秒の特徴的な時間スケールでTLSのテレグラフスイッチングを明らかにする。
その結果、周波数誘起TLSダイナミクスの以前は到達不能な状態が明らかとなり、超伝導量子プロセッサのTLSを考慮したキャリブレーションとキャリブレーションが再定義された。
論文 参考訳（メタデータ） (2026-08-03T11:44:42Z) - Non-Local and Non-Markovian Effects of a Microscopic Two-Level Defect in Superconducting Quantum Circuits [19.458633180973425]
微視的二レベルシステム(TLS)は、固体量子デバイスにおける量子ビットデコヒーレンスの主要な原因である。
空間的に離れた2つの超伝導量子ビットに同時に結合するコヒーレントTLSの観測を報告する。
我々の発見は、スケーラブルな量子アーキテクチャにおいて、これまで見過ごされていた相互作用メカニズムを明らかにする。
論文 参考訳（メタデータ） (2026-05-22T08:56:03Z) - Probing the memory of a superconducting qubit environment [0.0]
非ポアソン量子ジャンプトレースは、標準マルコフ浴と長寿命TLSを区別するために必要な情報を持っていることを示す。
ソロモン方程式を熱ゆらぎによって自然に生じる量子ジャンプのダイナミクスに合わせることで、量子ビットの2つの環境との結合を解き放つことができる。
論文 参考訳（メタデータ） (2026-03-12T13:02:03Z) - Mapping the positions of Two-Level-Systems on the surface of a superconducting transmon qubit [67.53400883122266]
超伝導量子コンピュータのコヒーレンスは、寄生性二段階系(TLS)を形成する物質欠陥によって著しく制限される
本稿では,トランスモン量子ビットの表面におけるTLSの個々の位置を決定する手法を提案する。
提案手法は,TLSがデコヒーレンスに最も寄与する臨界回路領域の同定に有用である。
論文 参考訳（メタデータ） (2025-11-07T15:52:53Z) - Evidence of Memory Effects in the Dynamics of Two-Level System Defect Ensembles Using Broadband, Cryogenic Transient Dielectric Spectroscopy [0.0]
誘電体中の2レベル系(TLS)欠陥は超伝導回路におけるデコヒーレンスの主要な原因である。
本研究では,TLS欠陥のアンサンブルの低温探傷を可能にするブロードバンド3次元導波路分光法を提案する。
論文 参考訳（メタデータ） (2025-05-23T18:01:07Z) - Robustness of longitudinal transmon readout to ionization [79.16635054977068]
多光子プロセスは、回路QEDにおける分散読み出しの量子非破壊特性を劣化させる。
長手読み出しなどの代替手法が提案されている。
高速かつ高忠実なトランモン量子ビットのQND読み出しが可能であり, 長手結合が可能であることを示す。
論文 参考訳（メタデータ） (2024-12-10T18:32:30Z) - Stabilizing and improving qubit coherence by engineering noise spectrum
of two-level systems [52.77024349608834]
超伝導回路は量子コンピューティングの主要なプラットフォームである。
アモルファス酸化物層内の電荷変動器は、低周波1/f$の電荷ノイズと高周波誘電損失の両方に寄与する。
本稿では,TLS雑音スペクトル密度の工学的手法により,有害な影響を軽減することを提案する。
論文 参考訳（メタデータ） (2022-06-21T18:37:38Z) - Experimentally revealing anomalously large dipoles in a quantum-circuit
dielectric [50.591267188664666]
眼鏡に固有の2レベルシステム(TLS)は、現代の多くの量子デバイスにおいてデコヒーレンスを誘導する。
2つの異なるTLSのアンサンブルの存在を示し、フォノンと弱く強く相互作用する。
その結果, アモルファス固体の低温特性に新たな光を放つことができた。
論文 参考訳（メタデータ） (2021-10-20T19:42:22Z) - Fast high-fidelity single-qubit gates for flip-flop qubits in silicon [68.8204255655161]
フリップフロップ量子ビットは、シリコン中の反平行ドナー結合電子とドナー核スピンを持つ状態において符号化される。
相互作用する電子スピンと核スピンによって形成されるマルチレベルシステムについて検討する。
低周波雑音下で高速かつロバストな単一ビットゲートを生成する最適制御方式を提案する。
論文 参考訳（メタデータ） (2021-01-27T18:37:30Z) - Quantum Sensors for Microscopic Tunneling Systems [58.720142291102135]
トンネル2層系(TLS)は超伝導量子ビットなどのマイクロファブリック量子デバイスにおいて重要である。
本稿では,薄膜として堆積した任意の材料に個々のTLSを特徴付ける手法を提案する。
提案手法は, トンネル欠陥の構造を解明するために, 量子材料分光の道を開く。
論文 参考訳（メタデータ） (2020-11-29T09:57:50Z)
関連論文リストは本サイト内にある論文のタイトル・アブストラクトから自動的に作成しています。
指定された論文の情報です。
本サイトの運営者は本サイト（すべての情報・翻訳含む）の品質を保証せず、本サイト（すべての情報・翻訳含む）を使用して発生したあらゆる結果について一切の責任を負いません。