Fugu-MT 論文翻訳(概要): Coherent Manipulation with Resonant Excitation and Single Emitter Creation of Nitrogen Vacancy Centers in 4H Silicon Carbide

論文の概要: Coherent Manipulation with Resonant Excitation and Single Emitter Creation of Nitrogen Vacancy Centers in 4H Silicon Carbide

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2002.02613v2
Date: Sun, 2 Oct 2022 10:10:58 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-06-04 07:36:49.933002
Title: Coherent Manipulation with Resonant Excitation and Single Emitter Creation of Nitrogen Vacancy Centers in 4H Silicon Carbide
Title（参考訳）: 4h炭化ケイ素中の窒素空孔中心の共鳴励起と単一放出子によるコヒーレント操作
Authors: Zhao Mu, S.A.Zargaleh, H. J. von Bardeleben, Johannes E. Fr\"och, Hongbing Cai, Xinge Yang, Jianqun Yang, Xingji Li, Igor Aharonovich, Weibo Gao
Abstract要約: 共鳴励起による光検出磁気共鳴(ODMR)を示し, 4H-SiCにおけるNV中心の基底状態エネルギーレベルを明らかにした。また, SiCにイオン注入を施した単一窒素空孔(NV)の創出と特性評価を行った。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.5623903002844935
License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
Abstract: Silicon carbide (SiC) has become a key player in realization of scalable quantum technologies due to its ability to host optically addressable spin qubits and wafer-size samples. Here, we have demonstrated optically detected magnetic resonance (ODMR) with resonant excitation, and clearly identified the ground state energy levels of the NV centers in 4H-SiC. Coherent manipulation of NV centers in SiC has been achieved with Rabi and Ramsey oscillations. Finally, we show the successful generation and characterization of single nitrogen vacancy (NV) center in SiC employing ion implantation. Our results are highlighting the key role of NV centers in SiC as a potential candidate for quantum information processing.
Abstract（参考訳）: ケイ素炭化ケイ素(SiC)は、光学的に対応可能なスピン量子ビットとウェハサイズのサンプルをホストできるため、スケーラブルな量子技術の実現において重要な役割を担っている。ここでは,共振励起による光磁気共鳴(ODMR)を実証し,NV中心の基底状態エネルギーレベルを4H-SiCで明らかにした。 SiCにおけるNV中心のコヒーレントな操作は、RabiとRamseyの振動によって達成されている。最後に, SiCをイオン注入した単一窒素空孔(NV)中心の生成と特性について述べる。量子情報処理の候補候補として,SiCにおけるNV中心の役割を強調した。

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