論文の概要: Defect-Free Axially-Stacked GaAs/GaAsP Nanowire Quantum Dots with Strong Carrier Confinement

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2002.07071v2
• Date: Thu, 25 Feb 2021 09:24:16 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-06-04 18:25:07.798888
• Title: Defect-Free Axially-Stacked GaAs/GaAsP Nanowire Quantum Dots with Strong Carrier Confinement
• Title（参考訳）: キャリア閉じ込めが強い欠陥のない軸重畳GaAs/GaAsPナノワイヤ量子ドット
• Authors: Yunyan Zhang, Anton V. Velichko, H. Aruni Fonseka, Patrick Parkinson, George Davis, James A. Gott, Martin Aagesen, Ana M. Sanchez, David Mowbray and Huiyun Liu
• Abstract要約: ナノワイヤ(NW)における軸スタック量子ドット(QD)は、ナノスケールの量子デバイスやレーザーの製造において重要な応用である。 本報告では, 自己触媒による欠陥のない軸方向固定型深部NWQDの詳細な研究を報告する。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.8938910048099864
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: Axially-stacked quantum dots (QDs) in nanowires (NWs) have important applications in fabricating nanoscale quantum devices and lasers. Although their performances are very sensitive to crystal quality and structures, there is relatively little study on defect-free growth with Au-free mode and structure optimisation for achiving high performances. Here, we report a detailed study of the first self-catalyzed defect-free axially-stacked deep NWQDs. High structural quality is maintained when 50 GaAs QDs are placed in a single GaAsP NW. The QDs have very sharp interfaces (1.8~3.6 nm) and can be closely stacked with very similar structural properties. They exhibit the deepest carrier confinement (~90 meV) and largest exciton-biexciton splitting (~11 meV) among non-nitride III-V NWQDs, and can maintain good optical properties after being stored in ambient atmosphere for over 6 months due to excellent stability. Our study sets a solid foundation to build high-performance axially-stacked NWQD devices that are compatible with CMOS technologies.
• Abstract（参考訳）: ナノワイヤ(NW)における軸スタック量子ドット(QD)は、ナノスケール量子デバイスやレーザーの製造において重要な応用である。 その性能は結晶の質や構造に非常に敏感であるが、auフリーモードによる欠陥のない成長と高性能化のための構造最適化に関する研究は相対的に少ない。 本報告では, 自己触媒による欠陥のない軸方向固定型深部NWQDの詳細な研究を報告する。 50GaAsQDを1つのGaAsPNWに配置すると、高い構造品質が維持される。 QDは、非常に鋭い界面(1.8~3.6nm)を持ち、非常に類似した構造特性で密に積み重ねることができる。 それらは非窒化物iii-v nwqdの中で最も深いキャリア閉じ込め(約90 mev)と最大のエキシトン-ビエクシトン分離(約11 mev)を示し、優れた安定性のために6ヶ月以上環境雰囲気に保存した後、良好な光学特性を維持することができる。 本研究は、CMOS技術と互換性のある高性能な軸配置NWQDデバイスを構築するための基盤となる。

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