論文の概要: Simulated coherent electron shuttling in silicon quantum dots
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2003.08018v3
- Date: Tue, 29 Dec 2020 17:21:43 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-05-28 20:23:39.088319
- Title: Simulated coherent electron shuttling in silicon quantum dots
- Title(参考訳): シリコン量子ドットにおけるコヒーレント電子遮断のシミュレーション
- Authors: Brandon Buonacorsi, Benjamin Shaw and Jonathan Baugh
- Abstract要約: ゲート定義シリコン量子ドットは数値シミュレーションされる。
コヒーレントスピン輸送は、有効ハミルトニアンにスピン軌道とバレー項を含めることでシミュレートされる。
結果は、アイソトピー精製シリコンにおける大規模スピン量子ビットプロセッサの提案に関連している。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Shuttling of single electrons in gate-defined silicon quantum dots is
numerically simulated. A minimal gate geometry without explicit tunnel barrier
gates is introduced, and used to define a chain of accumulation mode quantum
dots, each controlled by a single gate voltage. One-dimensional potentials are
derived from a three-dimensional electrostatic model, and used to construct an
effective Hamiltonian for efficient simulation. Control pulse sequences are
designed by maintaining a fixed adiabaticity, so that different shuttling
conditions can be systematically compared. We first use these tools to optimize
the device geometry for maximum transport velocity, considering only orbital
states and neglecting valley and spin degrees of freedom. Taking realistic
geometrical constraints into account, charge shuttling speeds up to $\sim$300
m/s preserve adiabaticity. Coherent spin transport is simulated by including
spin-orbit and valley terms in an effective Hamiltonian, shuttling one member
of a singlet pair and tracking the entanglement fidelity. With realistic device
and material parameters, shuttle speeds in the range 10-100 m/s with high spin
entanglement fidelities are obtained when the tunneling energy exceeds the
Zeeman energy. High fidelity also requires the inter-dot valley phase
difference to be below a threshold determined by the ratio of tunneling and
Zeeman energies, so that spin-valley-orbit mixing is weak. In this regime, we
find that the primary source of infidelity is a coherent spin rotation that is
correctable, in principle. The results pertain to proposals for large-scale
spin qubit processors in isotopically purified silicon that rely on coherent
shuttling of spins to rapidly distribute quantum information between
computational nodes.
- Abstract(参考訳): ゲート定義シリコン量子ドットにおける単一電子のシャットリングを数値シミュレーションする。
明示的なトンネルバリアゲートのない最小ゲート形状を導入し、集積モード量子ドットの連鎖を定義するために、それぞれ1つのゲート電圧で制御される。
一次元ポテンシャルは3次元静電モデルから導出され、効率的なシミュレーションのための効果的なハミルトニアンを構築するために用いられる。
制御パルスシーケンスは、固定された断熱性を維持することで設計され、異なるシャットリング条件を体系的に比較することができる。
まず、これらのツールを使用して、軌道状態と谷やスピンの自由度のみを考慮して、デバイス幾何を最大輸送速度に最適化する。
現実的な幾何学的制約を考慮すると、チャージシャットリングの速度は$\sim$300 m/sで断熱性を保つ。
コヒーレントスピン輸送は、スピン軌道とバレー項を効果的にハミルトニアンに含め、一重項対の一員を閉じ、絡み合いの忠実さを追跡することでシミュレートされる。
現実的な装置と材料パラメータにより、トンネルエネルギーがゼーマンエネルギーを超えると、10〜100m/sの範囲で高いスピンエンタングルメントフィディティが得られる。
高忠実度はまた、トンネルとゼーマンエネルギーの比で決定される閾値を下回ることを要求するため、スピンバルブと軌道の混合が弱い。
この状態において、不忠実性の主要な源は、原理的に修正可能なコヒーレントスピン回転である。
結果は、スピンのコヒーレントシャットリングに依存して計算ノード間で量子情報を迅速に分散する、等方的に精製されたシリコンにおける大規模スピン量子ビットプロセッサの提案に関連している。
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