論文の概要: Near Transform-limited Quantum Dot Linewidths in a Broadband Photonic
Crystal Waveguide
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2005.03943v1
- Date: Fri, 8 May 2020 10:21:26 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-05-20 20:18:21.303078
- Title: Near Transform-limited Quantum Dot Linewidths in a Broadband Photonic
Crystal Waveguide
- Title（参考訳）: 広帯域フォトニック結晶導波路における近接量子ドット線幅
- Authors: Freja T. Pedersen (1), Ying Wang (1), Cecilie T. Olesen (1), Sven
Scholz (2), Andreas D. Wieck (2), Arne Ludwig (2), Matthias C. L\"obl (3),
Richard J. Warburton (3), Leonardo Midolo (1), Ravitej Uppu (1), Peter Lodahl
(1)
- Abstract要約: 平面ナノフォトニクス構造は、量子ドットから放出される放出のブロードバンド、ほぼ均一結合を可能にする。
p$-$i$-$n$ダイオードに埋め込まれた量子ドットを含むガリウムヒ素膜におけるフォトニック結晶導波路の形成によるノイズの抑制を報告した。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Planar nanophotonic structures enable broadband, near-unity coupling of
emission from quantum dots embedded within, thereby realizing ideal
singe-photon sources. The efficiency and coherence of the single-photon source
is limited by charge noise, which results in the broadening of the emission
spectrum.We report suppression of the noise by fabricating photonic crystal
waveguides in a gallium arsenide membrane containing quantum dots embedded in a
$p$-$i$-$n$ diode. Local electrical contacts in the vicinity of the waveguides
minimize the leakage current and allow fast electrical control ($\approx$4 MHz
bandwidth) of the quantum dot resonances. Resonant linewidth measurements of
$79$ quantum dots coupled to the photonic crystal waveguides exhibit near
transform-limited emission over a 6 nm wide range of emission wavelengths.
Importantly, the local electrical contacts allow independent tuning of multiple
quantum dots on the same chip, which together with the transform-limited
emission are key components in realizing multiemitter-based quantum information
processing.
- Abstract（参考訳）: 平面ナノフォトニクス構造は、内部に埋め込まれた量子ドットからの放出をブロードバンドでほぼ均一に結合し、理想のシンフォトン源を実現する。
単一光子源の効率とコヒーレンスは電荷ノイズによって制限されるため、発光スペクトルが広くなり、p$-$i$-n$ダイオードに埋め込まれた量子ドットを含むヒ素化ガリウム膜にフォトニック結晶導波路を作製することでノイズの抑制が図られる。
導波路近傍の局所的な電気接触は漏れ電流を最小限に抑え、量子ドット共鳴の高速な電気制御(4MHz帯)を可能にする。
フォトニック結晶導波路と結合した79ドルの量子ドットの共鳴線幅測定は、6nmの広い波長の波長で変換制限された放出を示す。
重要なことに、局所的な電気的接触により、同一チップ上で複数の量子ドットを独立にチューニングすることができ、これは変換制限エミッションと共にマルチエミッタベースの量子情報処理を実現する上で鍵となるコンポーネントである。
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