Fugu-MT 論文翻訳(概要): Spectral and spatial isolation of single WSe$_2$ quantum emitters using hexagonal boron nitride wrinkles

論文の概要: Spectral and spatial isolation of single WSe$_2$ quantum emitters using hexagonal boron nitride wrinkles

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2005.07013v1
Date: Thu, 14 May 2020 14:31:38 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-05-20 05:30:57.164988
Title: Spectral and spatial isolation of single WSe$_2$ quantum emitters using hexagonal boron nitride wrinkles
Title（参考訳）: 六方晶窒化ホウ素シワを用いた単一WSe$_2$量子エミッタの分光および空間分離
Authors: Rapha\"el S. Daveau, Tom Vandekerckhove, Arunabh Mukherjee, Zefang Wang, Jie Shan, Kin Fai Mak, A. Nick Vamivakas, Gregory D. Fuchs
Abstract要約: 我々は、WSe$$単層から空間的に、スペクトル的に孤立した量子エミッタを、ほとんど、あるいは全く放出しない形で生成する。ナノ基板上に配置したヘキサゴナル窒化ホウ素(hBN)とWSe$$の2層が局所ひずみをWSe$$$に伝達するしわを発生・形成するために用いられることを示す。基板上に直接生成した量子エミッタとシワに沿って形成される量子エミッタを比較し、後者のスペクトルが主に1つのピークと低い背景蛍光から構成されていることを見出した。
参考スコア（独自算出の注目度）: 1.037769583357224
License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
Abstract: Monolayer WSe$_2$ hosts bright single-photon emitters. Because of its compliance, monolayer WSe$_2$ conforms to patterned substrates without breaking, thus creating the potential for large local strain, which is one activation mechanism of its intrinsic quantum emitters. Here, we report an approach to creating spatially and spectrally isolated quantum emitters from WSe$_2$ monolayers with few or no detrimental sources of emission. We show that a bilayer of hexagonal boron nitride (hBN) and WSe$_2$ placed on a nanostructured substrate can be used to create and shape wrinkles that communicate local strain to the WSe$_2$, thus creating quantum emitters that are isolated from substrate features. We compare quantum emitters created directly on top of substrate features with quantum emitters forming along wrinkles and find that the spectra of the latter consist of mainly a single peak and a low background fluorescence. We also discuss possible approaches to controlling emitter position along hBN wrinkles.
Abstract（参考訳）: Monolayer WSe$_2$は明るい単一光子エミッタをホストする。コンプライアンスのため、単層 WSe$_2$ は破壊することなくパターン化された基板に適合し、その固有量子エミッタの活性化機構である大きな局所ひずみのポテンシャルを生み出す。本稿では,wse$_2$単分子層から空間的およびスペクトル的に孤立した量子エミッタを生成する手法について報告する。ナノ構造基板上に配置したヘキサゴナル窒化ホウ素(hbn)とwse$_2$の二重層を用いて,局所ひずみをwse$_2$に伝達するワニを生成・形成し,基板の特徴から分離した量子エミッタを生成できることを示した。基板上に直接生成した量子エミッタとシワに沿って形成される量子エミッタを比較し、後者のスペクトルが主に1つのピークと低い背景蛍光から構成されていることを見出した。また、hBNシワに沿ったエミッタ位置を制御するための可能性についても論じる。

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