論文の概要: Hidden Silicon-Vacancy Centers in Diamond
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2006.02323v3
- Date: Wed, 5 May 2021 20:20:02 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-05-17 06:40:34.838266
- Title: Hidden Silicon-Vacancy Centers in Diamond
- Title(参考訳): ダイヤモンド中のシリコン空洞中心
- Authors: Christopher L. Smallwood, Ronald Ulbricht, Matthew W. Day, Tim
Schr\"oder, Kelsey M. Bates, Travis M. Autry, Geoffrey Diederich, Edward
Bielejec, Mark E. Siemens, and Steven T. Cundiff
- Abstract要約: 我々は、コリニア光多次元コヒーレント分光法を用いて、ダイヤモンド中の負電荷シリコン空孔(SiV$-$)の高密度試料を特徴付ける。
相補的な信号検出方式の結果を比較することで、発光では観測されないceSiV中心の隠れた集団を同定する。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: We characterize a high-density sample of negatively charged silicon-vacancy
(SiV$^-$) centers in diamond using collinear optical multidimensional coherent
spectroscopy. By comparing the results of complementary signal detection
schemes, we identify a hidden population of \ce{SiV^-} centers that is not
typically observed in photoluminescence, and which exhibits significant
spectral inhomogeneity and extended electronic $T_2$ times. The phenomenon is
likely caused by strain, indicating a potential mechanism for controlling
electric coherence in color-center-based quantum devices.
- Abstract(参考訳): ダイヤモンド中の負荷電シリコン空孔(siv$^-$)中心の高密度試料をコリニア光多次元コヒーレント分光法を用いて特徴付ける。
補完的信号検出方式の結果を比較することで、光発光では一般的に観測されない、スペクトル不均一性や拡張電子的$t_2$倍の隠れた集団を同定する。
この現象は、色中心ベースの量子デバイスにおける電気コヒーレンスを制御する潜在的なメカニズムを示すひずみによって引き起こされる可能性が高い。
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