論文の概要: Optical spin initialization of spin-3/2 silicon vacancy centers in 6H-SiC at room temperature

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2007.08516v4
• Date: Tue, 9 Mar 2021 11:58:46 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-05-10 01:51:39.079860
• Title: Optical spin initialization of spin-3/2 silicon vacancy centers in 6H-SiC at room temperature
• Title（参考訳）: 室温6H-SiCにおけるスピン-3/2シリコン空孔中心の光スピン初期化
• Authors: Harpreet Singh, Andrei N. Anisimov, I. D. Breev, Pavel G. Baranov and Dieter Suter
• Abstract要約: 6H-SiCにおけるスピン3/2負電荷シリコン空孔の光学的配向について検討した。 観測された振る舞いを説明できる簡単な速度方程式モデルについて述べる。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.6719751155411073
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: Silicon vacancies in silicon carbide have been proposed as an alternative to nitrogen vacancy centers in diamonds for spintronics and quantum technologies. An important precondition for these applications is the initialization of the qubits into a specific quantum state. In this work, we study the optical alignment of the spin 3/2 negatively charged silicon vacancy in 6H-SiC. Using a time-resolved optically detected magnetic resonance technique, we coherently control the silicon vacancy spin ensemble and measure Rabi frequencies and spin-lattice relaxation time of all three transitions. Then to study the optical initialization process of the silicon vacancy spin ensemble, the vacancy spin ensemble is prepared in different ground states and optically excited. We describe a simple rate equation model that can explain the observed behaviour and determine the relevant rate constants.
• Abstract（参考訳）: 炭化ケイ素のケイ素空孔は、スピントロニクスや量子技術のためのダイヤモンド中の窒素空孔中心の代替として提案されている。 これらの応用の重要な前提条件は、量子ビットを特定の量子状態に初期化することである。 本研究では,6H-SiCにおけるスピン3/2負電荷シリコン空孔の光学的配向について検討した。 時間分解型光磁気共鳴法を用いて、シリコン空孔スピンアンサンブルをコヒーレントに制御し、3つの遷移のrabi周波数およびスピン格子緩和時間を測定する。 そして、シリコン空隙スピンアンサンブルの光初期化過程を研究するために、異なる基底状態で空隙スピンアンサンブルを作成し、光学的に励起する。 観測された挙動を説明でき、関連する速度定数を決定できる単純な速度方程式モデルについて述べる。

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