Fugu-MT 論文翻訳(概要): Experimental characterization of spin-3/2 silicon vacancy centers in 6H-SiC

論文の概要: Experimental characterization of spin-3/2 silicon vacancy centers in 6H-SiC

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2001.06842v2
Date: Tue, 28 Apr 2020 16:35:05 GMT
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システム内更新日: 2023-01-10 05:36:55.120492
Title: Experimental characterization of spin-3/2 silicon vacancy centers in 6H-SiC
Title（参考訳）: 6H-SiCにおけるスピン-3/2シリコン空孔のキャラクタリゼーション
Authors: Harpreet Singh, Andrei N. Anisimov, Sergei S. Nagalyuk, Eugenii N. Mokhov, Pavel G. Baranov, and Dieter Suter
Abstract要約: 6H-SiC多型シリコン空孔におけるスピンの関連性について概説する。これには、温度依存性のフォトルミネッセンス、光学的に検出された磁気共鳴、スピンの縦成分と横成分の緩和時間が含まれる。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.591108750771621
License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
Abstract: Silicon carbide (SiC) hosts many interesting defects that can potentially serve as qubits for a range of advanced quantum technologies. Some of them have very interesting properties, making them potentially useful, e.g. as interfaces between stationary and flying qubits. Here we present a detailed overview of the relevant properties of the spins in silicon vacancies of the 6H-SiC polytype. This includes the temperature-dependent photoluminescence, optically detected magnetic resonance, and the relaxation times of the longitudinal and transverse components of the spins, during free precession as well as under the influence of different refocusing schemes.
Abstract（参考訳）: 炭化ケイ素(SiC)は、様々な高度な量子技術の量子ビットとして機能する可能性のある多くの興味深い欠陥をホストしている。それらの中には非常に興味深い性質を持つものもあり、固定キュービットとフライングキュービットの間のインターフェイスなど、潜在的に有用である。本稿では,6h-sic多型のシリコン空孔におけるスピンの関連特性について詳細に述べる。これには、温度依存性のフォトルミネッセンス、光学的に検出された磁気共鳴、スピンの縦方向と横方向の成分の緩和時間、および異なる再焦点スキームの影響などが含まれる。

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